Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > DMN2009LSS-13
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
6364139DMN2009LSS-13 ImagineDiodes Incorporated

DMN2009LSS-13

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
2500+
$0.33
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    DMN2009LSS-13
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    DMN2009LSS-13.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    1.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    8-SOP
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8 mOhm @ 12A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    2W (Ta)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    32 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    2555pF @ 10V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    58.3nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    2.5V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    20V
  • descriere detaliata
    N-Channel 20V 12A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    12A (Ta)

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „DMN2009LSS-13”.
DMN2011UTS-13

DMN2011UTS-13

Descriere: MOSFET N-CH 20V 21A 8-TSSOP

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2008LFU-13

DMN2008LFU-13

Descriere: MOSFET 2NCH 20V 14.5A UDFN2030

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2005K-7

DMN2005K-7

Descriere: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2005UPS-13

DMN2005UPS-13

Descriere: MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2010UDZ-7

DMN2010UDZ-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2011UFDE-7

DMN2011UFDE-7

Descriere: MOSFET N-CH 20V 11.7A UDFN2020-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2004WKQ-7

DMN2004WKQ-7

Descriere: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2005LP4K-7

DMN2005LP4K-7

Descriere: MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2005LPK-7

DMN2005LPK-7

Descriere: MOSFET N-CH 20V 440MA 3-DFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2005UFG-13

DMN2005UFG-13

Descriere: MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2013UFDE-7

DMN2013UFDE-7

Descriere: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2011UFDE-13

DMN2011UFDE-13

Descriere: MOSFET N-CH 20V 11.7A SOT323

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2013UFX-7

DMN2013UFX-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2011UFDF-13

DMN2011UFDF-13

Descriere: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2011UFX-7

DMN2011UFX-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2005DLP4K-7

DMN2005DLP4K-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2005UFG-7

DMN2005UFG-7

Descriere: MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2008LFU-7

DMN2008LFU-7

Descriere: MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2011UFDF-7

DMN2011UFDF-7

Descriere: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2014LHAB-7

DMN2014LHAB-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.