Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > DMN2005UFG-13
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
3202076DMN2005UFG-13 ImagineDiodes Incorporated

DMN2005UFG-13

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$0.81
10+
$0.682
100+
$0.512
500+
$0.375
1000+
$0.29
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    DMN2005UFG-13
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    DMN2005UFG-13.pdf
  • Modelul ECAD
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    1.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    PowerDI3333-8
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.6 mOhm @ 13.5A, 4.5V
  • Distrugerea puterii (Max)
    1.05W (Ta)
  • ambalare
    Cut Tape (CT)
  • Pachet / Caz
    8-PowerWDFN
  • Alte nume
    DMN2005UFG-13DICT
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    32 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    6495pF @ 10V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    164nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    2.5V, 4.5V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    20V
  • descriere detaliata
    N-Channel 20V 18.1A (Tc) 1.05W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    18.1A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „DMN2005UFG-13”.
DMN2011UFDE-13

DMN2011UFDE-13

Descriere: MOSFET N-CH 20V 11.7A SOT323

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2011UFDE-7

DMN2011UFDE-7

Descriere: MOSFET N-CH 20V 11.7A UDFN2020-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2005K-7

DMN2005K-7

Descriere: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2010UDZ-7

DMN2010UDZ-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2005LPK-7

DMN2005LPK-7

Descriere: MOSFET N-CH 20V 440MA 3-DFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2004WK-7

DMN2004WK-7

Descriere: MOSFET N-CH 20V 540MA SC70-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2004VK-7

DMN2004VK-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2004WKQ-7

DMN2004WKQ-7

Descriere: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2009LSS-13

DMN2009LSS-13

Descriere: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2005UFG-7

DMN2005UFG-7

Descriere: MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2011UFDF-13

DMN2011UFDF-13

Descriere: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2005UPS-13

DMN2005UPS-13

Descriere: MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2008LFU-7

DMN2008LFU-7

Descriere: MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2011UFDF-7

DMN2011UFDF-7

Descriere: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2008LFU-13

DMN2008LFU-13

Descriere: MOSFET 2NCH 20V 14.5A UDFN2030

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2005LP4K-7

DMN2005LP4K-7

Descriere: MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2005DLP4K-7

DMN2005DLP4K-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2004K-7

DMN2004K-7

Descriere: MOSFET N-CH 20V 0.63A SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2004DWKQ-7

DMN2004DWKQ-7

Descriere: MOSFET 2NCH 20V 540MA SOT363

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2004TK-7

DMN2004TK-7

Descriere: MOSFET N-CH 20V 0.54A SOT-523

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neȘtiriHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.