Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > DMN1150UFB-7B
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
6307750DMN1150UFB-7B ImagineDiodes Incorporated

DMN1150UFB-7B

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
10000+
$0.069
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    DMN1150UFB-7B
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    DMN1150UFB-7B.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±6V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    3-DFN1006 (1.0x0.6)
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    150 mOhm @ 1A, 4.5V
  • Distrugerea puterii (Max)
    500mW (Ta)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    3-UFDFN
  • Alte nume
    DMN1150UFB-7BDITR
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    20 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    106pF @ 10V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    1.5nC @ 4.5V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    1.8V, 4.5V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    12V
  • descriere detaliata
    N-Channel 12V 1.41A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 3-DFN1006 (1.0x0.6)
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    1.41A (Ta)

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „DMN1150UFB-7B”.
DMN15H310SK3-13

DMN15H310SK3-13

Descriere: MOSFET NCH 150V 8.3A TO252

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN16M9UCA6-7

DMN16M9UCA6-7

Descriere: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN13H750S-7

DMN13H750S-7

Descriere: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN10H220LVT-13

DMN10H220LVT-13

Descriere: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN10H220L-7

DMN10H220L-7

Descriere: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN13M9UCA6-7

DMN13M9UCA6-7

Descriere: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN13H750S-13

DMN13H750S-13

Descriere: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2004DMK-7

DMN2004DMK-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN10H220LQ-13

DMN10H220LQ-13

Descriere: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN15H310SE-13

DMN15H310SE-13

Descriere: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN10H170SVTQ-7

DMN10H170SVTQ-7

Descriere: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN1260UFA-7B

DMN1260UFA-7B

Descriere: MOSFET N-CH 12V 0.5A X2DFN-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN1250UFEL-7

DMN1250UFEL-7

Descriere: MOSFET BVDSS: 8V 24V U-QFN1515-1

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN1150UFL3-7

DMN1150UFL3-7

Descriere: MOSFET 2N-CHA 12V 2A DFN1310

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN10H220LE-13

DMN10H220LE-13

Descriere: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN10H220LQ-7

DMN10H220LQ-7

Descriere: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN10H220L-13

DMN10H220L-13

Descriere: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN10H700S-7

DMN10H700S-7

Descriere: MOSFET N-CHA 100V 700MA SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN10H220LVT-7

DMN10H220LVT-7

Descriere: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN10H700S-13

DMN10H700S-13

Descriere: MOSFET NCH 100V 700MA SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.