Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > DMN10H220L-7
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
3382537DMN10H220L-7 ImagineDiodes Incorporated

DMN10H220L-7

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
3000+
$0.161
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    DMN10H220L-7
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    DMN10H220L-7.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    SOT-23
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    220 mOhm @ 1.6A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    1.3W (Ta)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Alte nume
    DMN10H220L-7DITR
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    20 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    401pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    8.3nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    4.5V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    100V
  • descriere detaliata
    N-Channel 100V 1.4A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount SOT-23
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    1.4A (Ta)
  • Numărul părții de bază
    DMN10H220

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „DMN10H220L-7”.
DMN1250UFEL-7

DMN1250UFEL-7

Descriere: MOSFET BVDSS: 8V 24V U-QFN1515-1

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN10H700S-13

DMN10H700S-13

Descriere: MOSFET NCH 100V 700MA SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN10H700S-7

DMN10H700S-7

Descriere: MOSFET N-CHA 100V 700MA SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN10H170SFG-13

DMN10H170SFG-13

Descriere: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN10H170SVT-13

DMN10H170SVT-13

Descriere: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN10H170SK3-13

DMN10H170SK3-13

Descriere: MOSFET N-CH 100V 12A TO252

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN10H170SVTQ-13

DMN10H170SVTQ-13

Descriere: MOSFET N-CH 100V TSOT26

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN1150UFB-7B

DMN1150UFB-7B

Descriere: MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN10H170SFDE-7

DMN10H170SFDE-7

Descriere: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN10H220LVT-13

DMN10H220LVT-13

Descriere: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN10H220LQ-13

DMN10H220LQ-13

Descriere: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN1150UFL3-7

DMN1150UFL3-7

Descriere: MOSFET 2N-CHA 12V 2A DFN1310

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN10H220LE-13

DMN10H220LE-13

Descriere: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN10H170SVTQ-7

DMN10H170SVTQ-7

Descriere: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN10H220L-13

DMN10H220L-13

Descriere: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN10H220LQ-7

DMN10H220LQ-7

Descriere: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN10H220LVT-7

DMN10H220LVT-7

Descriere: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN10H170SFG-7

DMN10H170SFG-7

Descriere: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN10H170SK3Q-13

DMN10H170SK3Q-13

Descriere: MOSFET N-CHAN 61V 100V TO252

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN10H170SVT-7

DMN10H170SVT-7

Descriere: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.