Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > DMG8880LK3-13
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
557042DMG8880LK3-13 ImagineDiodes Incorporated

DMG8880LK3-13

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$0.84
10+
$0.743
100+
$0.569
500+
$0.45
1000+
$0.36
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    DMG8880LK3-13
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    DMG8880LK3-13.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-252-3
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9.3 mOhm @ 11.6A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    1.68W (Ta)
  • ambalare
    Cut Tape (CT)
  • Pachet / Caz
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Alte nume
    DMG8880LK3-13DICT
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    1289pF @ 15V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    27.6nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    4.5V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    N-Channel 30V 11A (Ta) 1.68W (Ta) Surface Mount TO-252-3
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    11A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „DMG8880LK3-13”.
DMG7401SFGQ-7

DMG7401SFGQ-7

Descriere: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG7N65SCTI

DMG7N65SCTI

Descriere: MOSFET N-CH 650V 7.7A ITO220AB

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG963H10R

DMG963H10R

Descriere: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Producători: Panasonic
In stoc
RFQ
DMG963010R

DMG963010R

Descriere: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Producători: Panasonic
In stoc
RFQ
DMG8601UFG-7

DMG8601UFG-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG7702SFG-13

DMG7702SFG-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG7N65SCT

DMG7N65SCT

Descriere: MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG8N65SCT

DMG8N65SCT

Descriere: MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG7N65SJ3

DMG7N65SJ3

Descriere: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG963H50R

DMG963H50R

Descriere: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Producători: Panasonic
In stoc
RFQ
DMG904010R

DMG904010R

Descriere: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SSMINI6

Producători: Panasonic
In stoc
RFQ
DMG8822UTS-13

DMG8822UTS-13

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG7408SFG-7

DMG7408SFG-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG963020R

DMG963020R

Descriere: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Producători: Panasonic
In stoc
RFQ
DMG963HD0R

DMG963HD0R

Descriere: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Producători: Panasonic
In stoc
RFQ
DMG8880LSS-13

DMG8880LSS-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG7430LFG-7

DMG7430LFG-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG7702SFG-7

DMG7702SFG-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG963030R

DMG963030R

Descriere: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Producători: Panasonic
In stoc
RFQ
DMG963HC0R

DMG963HC0R

Descriere: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Producători: Panasonic
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.