Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > DMG7N65SCT
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
4069468

DMG7N65SCT

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
50+
$1.147
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    DMG7N65SCT
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Conține plumb / RoHS Compliant
  • Foi de date
    DMG7N65SCT.pdf
  • Modelul ECAD
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-220AB
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.4 Ohm @ 2.5A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    125W (Tc)
  • ambalare
    Cut Tape (CT)
  • Pachet / Caz
    TO-220-3
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Producător Standard Timp de plumb
    22 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    886pF @ 50V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    25.2nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    650V
  • descriere detaliata
    N-Channel 650V 7.7A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    7.7A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „DMG7N65SCT”.
DMG7401SFG-13

DMG7401SFG-13

Descriere: MOSFET P-CH 30V POWERDI3333-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG7408SFG-7

DMG7408SFG-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG8N65SCT

DMG8N65SCT

Descriere: MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG963010R

DMG963010R

Descriere: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Producători: Panasonic
In stoc
RFQ
DMG6968UQ-7

DMG6968UQ-7

Descriere: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG7401SFGQ-7

DMG7401SFGQ-7

Descriere: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG8601UFG-7

DMG8601UFG-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG904010R

DMG904010R

Descriere: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SSMINI6

Producători: Panasonic
In stoc
RFQ
DMG7N65SCTI

DMG7N65SCTI

Descriere: MOSFET N-CH 650V 7.7A ITO220AB

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG6968UTS-13

DMG6968UTS-13

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG8880LSS-13

DMG8880LSS-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG7702SFG-13

DMG7702SFG-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG7702SFG-7

DMG7702SFG-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG7N65SJ3

DMG7N65SJ3

Descriere: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG8822UTS-13

DMG8822UTS-13

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG963020R

DMG963020R

Descriere: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Producători: Panasonic
In stoc
RFQ
DMG7430LFG-7

DMG7430LFG-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG7401SFGQ-13

DMG7401SFGQ-13

Descriere: MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG8880LK3-13

DMG8880LK3-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG7401SFG-7

DMG7401SFG-7

Descriere: MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neȘtiriHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.