Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays > NTMD6P02R2SG
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
4888148

NTMD6P02R2SG

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
2500+
$0.403
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    NTMD6P02R2SG
  • Producator / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    NTMD6P02R2SG.pdf
  • Modelul ECAD
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    1.2V @ 250µA
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    8-SOIC
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    33 mOhm @ 6.2A, 4.5V
  • Putere - Max
    750mW
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    1700pF @ 16V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    35nC @ 4.5V
  • Tipul FET
    2 P-Channel (Dual)
  • FET Feature
    Logic Level Gate
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    20V
  • descriere detaliata
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.8A 750mW Surface Mount 8-SOIC
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    4.8A
  • Numărul părții de bază
    NTMD6P02

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „NTMD6P02R2SG”.
NTMD6N02R2G

NTMD6N02R2G

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NTMFD4902NFT1G

NTMFD4902NFT1G

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NTMD4N03R2G

NTMD4N03R2G

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NTMFD4901NFT1G

NTMFD4901NFT1G

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NTMFD4C20NT1G

NTMFD4C20NT1G

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V SO8FL

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NTMD6N04R2G

NTMD6N04R2G

Descriere: MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8SOIC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NTMFD4901NFT3G

NTMFD4901NFT3G

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NTMFD4952NFT3G

NTMFD4952NFT3G

Descriere: MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NTMD6N03R2

NTMD6N03R2

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NTMFD4C20NT3G

NTMFD4C20NT3G

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V SO8FL

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NTMD5836NLR2G

NTMD5836NLR2G

Descriere: MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FL

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NTMFD4951NFT3G

NTMFD4951NFT3G

Descriere: MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NTMFD4951NFT1G

NTMFD4951NFT1G

Descriere: MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NTMD6601NR2G

NTMD6601NR2G

Descriere: MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NTMFD4902NFT3G

NTMFD4902NFT3G

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NTMD6N02R2

NTMD6N02R2

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NTMD6N03R2G

NTMD6N03R2G

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NTMFD4952NFT1G

NTMFD4952NFT1G

Descriere: MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NTMD5838NLR2G

NTMD5838NLR2G

Descriere: MOSFET 2N-CH 40V 7.4A 8SOIC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NTMD6P02R2G

NTMD6P02R2G

Descriere: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neȘtiriHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.