Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays > NTMD6601NR2G
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
868630

NTMD6601NR2G

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    NTMD6601NR2G
  • Producator / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    NTMD6601NR2G.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    8-SOIC
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    215 mOhm @ 2.2A, 10V
  • Putere - Max
    600mW
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    400pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    15nC @ 10V
  • Tipul FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Feature
    Logic Level Gate
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    80V
  • descriere detaliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 1.1A 600mW Surface Mount 8-SOIC
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    1.1A

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „NTMD6601NR2G”.
NTMD4884NFR2G

NTMD4884NFR2G

Descriere: MOSFET N-CH 30V 3.3A 8-SOIC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NTMD4820NR2G

NTMD4820NR2G

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NTMD5836NLR2G

NTMD5836NLR2G

Descriere: MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FL

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NTMFD4901NFT1G

NTMFD4901NFT1G

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NTMD2P01R2

NTMD2P01R2

Descriere: MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NTMD6N02R2

NTMD6N02R2

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NTMD4N03R2G

NTMD4N03R2G

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NTMD6P02R2SG

NTMD6P02R2SG

Descriere: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NTMD6N03R2

NTMD6N03R2

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NTMD6N02R2G

NTMD6N02R2G

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NTMD2P01R2G

NTMD2P01R2G

Descriere: MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NTMD5838NLR2G

NTMD5838NLR2G

Descriere: MOSFET 2N-CH 40V 7.4A 8SOIC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NTMFD4901NFT3G

NTMFD4901NFT3G

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NTMD4840NR2G

NTMD4840NR2G

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOIC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NTMD6N03R2G

NTMD6N03R2G

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NTMD6P02R2G

NTMD6P02R2G

Descriere: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NTMD4184PFR2G

NTMD4184PFR2G

Descriere: MOSFET P-CH 30V 2.3A 8-SOIC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NTMD3P03R2G

NTMD3P03R2G

Descriere: MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NTMFD4902NFT1G

NTMFD4902NFT1G

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NTMD6N04R2G

NTMD6N04R2G

Descriere: MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8SOIC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.