Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > FQE10N20LCTU
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
1878550FQE10N20LCTU ImagineAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQE10N20LCTU

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    FQE10N20LCTU
  • Producator / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 200V 4A TO-126
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    FQE10N20LCTU.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-126
  • Serie
    QFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    360 mOhm @ 2A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    12.8W (Tc)
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    TO-225AA, TO-126-3
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    490pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    19nC @ 5V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    5V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    200V
  • descriere detaliata
    N-Channel 200V 4A (Tc) 12.8W (Tc) Through Hole TO-126
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    4A (Tc)

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26

Cartea grafică NVIDIA RTX 5090 are o suprafață GPU de 74...

2024/11/25

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „FQE10N20LCTU”.
TSM080N03EPQ56 RLG

TSM080N03EPQ56 RLG

Descriere: MOSFET N-CH 30V 55A 8PDFN

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
FDP7030L

FDP7030L

Descriere: MOSFET N-CH 30V 80A TO-220

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
IRFM220BTF_FP001

IRFM220BTF_FP001

Descriere: MOSFET N-CH 200V 1.13A SOT-223

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
IRL3202PBF

IRL3202PBF

Descriere: MOSFET N-CH 20V 48A TO-220AB

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IRFB7537PBF

IRFB7537PBF

Descriere: MOSFET N CH 60V 173A TO-220AB

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
NTR4502PT1G

NTR4502PT1G

Descriere: MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT-23

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
ATP201-V-TL-H

ATP201-V-TL-H

Descriere: MOSFET N-CH 30V 35A ATPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
STR1P2UH7

STR1P2UH7

Descriere: MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT-23

Producători: STMicroelectronics
In stoc
RFQ
DMT6016LFDF-7

DMT6016LFDF-7

Descriere: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
SSM3K376R,LF

SSM3K376R,LF

Descriere: SMALL LOW RON NCH MOSFETS ID: 4A

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
IRF3805

IRF3805

Descriere: MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IRLR3103PBF

IRLR3103PBF

Descriere: MOSFET N-CH 30V 55A DPAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
FQE10N20CTU

FQE10N20CTU

Descriere: MOSFET N-CH 200V 4A TO-126

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
HUFA76429D3ST

HUFA76429D3ST

Descriere: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
TPC8014(TE12L,Q,M)

TPC8014(TE12L,Q,M)

Descriere: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
FQD18N20V2TM

FQD18N20V2TM

Descriere: MOSFET N-CH 200V 15A DPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
PSMN013-100YSEX

PSMN013-100YSEX

Descriere: MOSFET N-CH 100V LFPAK

Producători: Nexperia
In stoc
RFQ
NTD3055-094T4G

NTD3055-094T4G

Descriere: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
RDX100N60FU6

RDX100N60FU6

Descriere: MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
IRFB9N65APBF

IRFB9N65APBF

Descriere: MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.