Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > FQE10N20CTU
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
5629633FQE10N20CTU ImagineAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQE10N20CTU

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    FQE10N20CTU
  • Producator / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 200V 4A TO-126
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    FQE10N20CTU.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-126
  • Serie
    QFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    360 mOhm @ 2A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    12.8W (Tc)
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    TO-225AA, TO-126-3
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    510pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    26nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    200V
  • descriere detaliata
    N-Channel 200V 4A (Tc) 12.8W (Tc) Through Hole TO-126
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    4A (Tc)

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „FQE10N20CTU”.
FQE10N20LCTU

FQE10N20LCTU

Descriere: MOSFET N-CH 200V 4A TO-126

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
SPP03N60C3HKSA1

SPP03N60C3HKSA1

Descriere: MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-220AB

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
STD100NH02LT4

STD100NH02LT4

Descriere: MOSFET N-CH 24V 60A DPAK

Producători: STMicroelectronics
In stoc
RFQ
PMN20EN,115

PMN20EN,115

Descriere: MOSFET N-CH 30V 6TSOP

Producători: NXP Semiconductors / Freescale
In stoc
RFQ
FDB024N06

FDB024N06

Descriere: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
IPB407N30NATMA1

IPB407N30NATMA1

Descriere: MOSFET N-CH TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
AO3434A

AO3434A

Descriere: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Producători: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
In stoc
RFQ
IRF6648TRPBF

IRF6648TRPBF

Descriere: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IXTC180N085T

IXTC180N085T

Descriere: MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IXFH20N100P

IXFH20N100P

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 20A TO-247

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
SIHB35N60E-GE3

SIHB35N60E-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
IPI100N06S3L-03

IPI100N06S3L-03

Descriere: MOSFET N-CH 55V 100A TO-262

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IXTN102N65X2

IXTN102N65X2

Descriere: MOSFET N-CH 650V 76A X2 SOT-227

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IPD90R1K2C3ATMA1

IPD90R1K2C3ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
STB80NE03L-06T4

STB80NE03L-06T4

Descriere: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Producători: STMicroelectronics
In stoc
RFQ
IRFR540ZPBF

IRFR540ZPBF

Descriere: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
PMZB420UN,315

PMZB420UN,315

Descriere: MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN

Producători: Nexperia
In stoc
RFQ
SIR850DP-T1-GE3

SIR850DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 25V 30A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
STP10NK70Z

STP10NK70Z

Descriere: MOSFET N-CH 700V 8.6A TO-220

Producători: STMicroelectronics
In stoc
RFQ
BSC022N03SG

BSC022N03SG

Descriere: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.