Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > FQD10N20TM
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
3017815

FQD10N20TM

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    FQD10N20TM
  • Producator / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    1.FQD10N20TM.pdf
    2.FQD10N20TM.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    D-Pak
  • Serie
    QFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    360 mOhm @ 3.8A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    2.5W (Ta), 51W (Tc)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    670pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    18nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    200V
  • descriere detaliata
    N-Channel 200V 7.6A (Tc) 2.5W (Ta), 51W (Tc) Surface Mount D-Pak
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    7.6A (Tc)

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26

Cartea grafică NVIDIA RTX 5090 are o suprafață GPU de 74...

2024/11/25

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „FQD10N20TM”.
FQD12N20LTM

FQD12N20LTM

Descriere: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQD10N20LTF

FQD10N20LTF

Descriere: MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQD10N20LTM

FQD10N20LTM

Descriere: MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQD10N20TF

FQD10N20TF

Descriere: MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQD10N20CTF

FQD10N20CTF

Descriere: MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQD10N20CTM_F080

FQD10N20CTM_F080

Descriere: MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQD12N20TM_F080

FQD12N20TM_F080

Descriere: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQD12N20LTF

FQD12N20LTF

Descriere: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQD12P10TF

FQD12P10TF

Descriere: MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQD10N20CTM

FQD10N20CTM

Descriere: MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQD11P06TM

FQD11P06TM

Descriere: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQD12N20LTM-F085

FQD12N20LTM-F085

Descriere: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQD13N06LTF

FQD13N06LTF

Descriere: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQD12N20TM

FQD12N20TM

Descriere: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQD12N20LTM-F085P

FQD12N20LTM-F085P

Descriere: NMOS DPAK 200V 280 MOHM

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQD12N20TF

FQD12N20TF

Descriere: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQD11P06TF

FQD11P06TF

Descriere: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQD12P10TM

FQD12P10TM

Descriere: MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQD12N20LTM_SN00173

FQD12N20LTM_SN00173

Descriere: MOSFET N-CH 200V DPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQD12P10TM-F085

FQD12P10TM-F085

Descriere: MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.