Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > FQD12P10TM
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
5583691

FQD12P10TM

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    FQD12P10TM
  • Producator / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    1.FQD12P10TM.pdf
    2.FQD12P10TM.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-252, (D-Pak)
  • Serie
    QFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    290 mOhm @ 4.7A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    2.5W (Ta), 50W (Tc)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    800pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    27nC @ 10V
  • Tipul FET
    P-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    100V
  • descriere detaliata
    P-Channel 100V 9.4A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    9.4A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „FQD12P10TM”.
FQD13N06TM

FQD13N06TM

Descriere: MOSFET N-CH 60V 10A DPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQD12N20LTM-F085

FQD12N20LTM-F085

Descriere: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQD13N10LTM_NBEL001

FQD13N10LTM_NBEL001

Descriere: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQD13N10TM

FQD13N10TM

Descriere: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQD13N06LTM

FQD13N06LTM

Descriere: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQD12N20TM_F080

FQD12N20TM_F080

Descriere: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQD12N20TM

FQD12N20TM

Descriere: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQD12N20LTF

FQD12N20LTF

Descriere: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQD12P10TM-F085

FQD12P10TM-F085

Descriere: MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQD12N20LTM_SN00173

FQD12N20LTM_SN00173

Descriere: MOSFET N-CH 200V DPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQD13N10LTF

FQD13N10LTF

Descriere: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQD13N10LTM

FQD13N10LTM

Descriere: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQD13N06TF

FQD13N06TF

Descriere: MOSFET N-CH 60V 10A DPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQD12P10TF

FQD12P10TF

Descriere: MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQD11P06TM

FQD11P06TM

Descriere: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQD13N06LTF

FQD13N06LTF

Descriere: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQD12N20LTM-F085P

FQD12N20LTM-F085P

Descriere: NMOS DPAK 200V 280 MOHM

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQD12N20TF

FQD12N20TF

Descriere: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQD12N20LTM

FQD12N20LTM

Descriere: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQD13N10TF

FQD13N10TF

Descriere: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.