Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > FDR858P
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
1778908

FDR858P

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    FDR858P
  • Producator / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET P-CH 30V 8A SSOT-8
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    FDR858P.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    SuperSOT™-8
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    19 mOhm @ 8A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    1.8W (Ta)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    8-SMD, Gull Wing
  • Alte nume
    FDR858P-ND
    FDR858PTR
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    2010pF @ 15V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    30nC @ 5V
  • Tipul FET
    P-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    4.5V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    P-Channel 30V 8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    8A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „FDR858P”.
FDR25S-4

FDR25S-4

Descriere: CABLE STRANDED

Producători: TE Connectivity Raychem Cable Protection
In stoc
RFQ
FDR840P

FDR840P

Descriere: MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDR8521L

FDR8521L

Descriere: MOSFET P-CH 20V SSOT-8

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
AON6400L_002

AON6400L_002

Descriere: MOSFET N-CH 30V 85A 8DFN

Producători: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
In stoc
RFQ
FDR25S-8

FDR25S-8

Descriere: HOOK-UP DUAL WALL STRND 8AWG BLK

Producători: Agastat Relays / TE Connectivity
In stoc
RFQ
FDR8308P

FDR8308P

Descriere: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A SSOT-8

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDR844P

FDR844P

Descriere: MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDR25-0

FDR25-0

Descriere: CABLE STRANDED MC

Producători: Agastat Relays / TE Connectivity
In stoc
RFQ
FDR4420A

FDR4420A

Descriere: MOSFET N-CH 30V 11A SSOT-8

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
HUF75652G3

HUF75652G3

Descriere: MOSFET N-CH 100V 75A TO-247

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDR8305N

FDR8305N

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SSOT-8

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQI9N08TU

FQI9N08TU

Descriere: MOSFET N-CH 80V 9.3A I2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDR8702H

FDR8702H

Descriere: MOSFET N/P-CH 20V SSOT-8

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
IRF2804STRL7PP

IRF2804STRL7PP

Descriere: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
FDR6674A

FDR6674A

Descriere: MOSFET N-CH 30V 11.5A SSOT-8

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDR25S-2

FDR25S-2

Descriere: HOOK-UP DUAL WALL STRND 2AWG BLK

Producători: Agastat Relays / TE Connectivity
In stoc
RFQ
FDR842P

FDR842P

Descriere: MOSFET P-CH 12V 11A SSOT-8

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDR838P

FDR838P

Descriere: MOSFET P-CH 20V 8A SSOT-8

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDR6580

FDR6580

Descriere: MOSFET N-CH 20V 11.2A SSOT-8

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDR8508P

FDR8508P

Descriere: MOSFET 2P-CH 30V 3A SSOT-8

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.