Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > FDR842P
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
3188521

FDR842P

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    FDR842P
  • Producator / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET P-CH 12V 11A SSOT-8
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    FDR842P.pdf
  • Modelul ECAD
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    SuperSOT™-8
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9 mOhm @ 11A, 4.5V
  • Distrugerea puterii (Max)
    1.8W (Ta)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    8-SMD, Gull Wing
  • Alte nume
    FDR842P-ND
    FDR842PTR
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    5350pF @ 6V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    80nC @ 4.5V
  • Tipul FET
    P-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    1.8V, 4.5V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    12V
  • descriere detaliata
    P-Channel 12V 11A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    11A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „FDR842P”.
FDR25S-8

FDR25S-8

Descriere: HOOK-UP DUAL WALL STRND 8AWG BLK

Producători: Agastat Relays / TE Connectivity
In stoc
RFQ
FDR838P

FDR838P

Descriere: MOSFET P-CH 20V 8A SSOT-8

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDR844P

FDR844P

Descriere: MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDR8508P

FDR8508P

Descriere: MOSFET 2P-CH 30V 3A SSOT-8

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDR25S-4

FDR25S-4

Descriere: CABLE STRANDED

Producători: TE Connectivity Raychem Cable Protection
In stoc
RFQ
IXTC160N085T

IXTC160N085T

Descriere: MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS 220

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
FDR6674A

FDR6674A

Descriere: MOSFET N-CH 30V 11.5A SSOT-8

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
IRFS7530TRL7PP

IRFS7530TRL7PP

Descriere: MOSFET N CH 60V 240A D2PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
FDR25-0

FDR25-0

Descriere: CABLE STRANDED MC

Producători: Agastat Relays / TE Connectivity
In stoc
RFQ
IRFU024

IRFU024

Descriere: MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
FDR8521L

FDR8521L

Descriere: MOSFET P-CH 20V SSOT-8

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDR8702H

FDR8702H

Descriere: MOSFET N/P-CH 20V SSOT-8

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDR858P

FDR858P

Descriere: MOSFET P-CH 30V 8A SSOT-8

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
BUK7608-55,118

BUK7608-55,118

Descriere: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

Producători: NXP Semiconductors / Freescale
In stoc
RFQ
FDR4420A

FDR4420A

Descriere: MOSFET N-CH 30V 11A SSOT-8

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDR25S-2

FDR25S-2

Descriere: HOOK-UP DUAL WALL STRND 2AWG BLK

Producători: Agastat Relays / TE Connectivity
In stoc
RFQ
FDR6580

FDR6580

Descriere: MOSFET N-CH 20V 11.2A SSOT-8

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDR8305N

FDR8305N

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SSOT-8

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDR8308P

FDR8308P

Descriere: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A SSOT-8

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDR840P

FDR840P

Descriere: MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neȘtiriHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.