Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > FDN5618P_G
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
1496210

FDN5618P_G

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    FDN5618P_G
  • Producator / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    INTEGRATED CIRCUIT
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    SuperSOT-3
  • Serie
    PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    170 mOhm @ 1.25A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    500mW (Ta)
  • ambalare
    Bulk
  • Pachet / Caz
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    430pF @ 30V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    13.8nC @ 10V
  • Tipul FET
    P-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    4.5V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    60V
  • descriere detaliata
    P-Channel 60V 1.25A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    1.25A (Ta)

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „FDN5618P_G”.
FDN537N

FDN537N

Descriere: MOSFET N-CH 30V 6.5A SSOT-3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN372S

FDN372S

Descriere: MOSFET N-CH 30V 2.6A SSOT-3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN358P

FDN358P

Descriere: MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN86501LZ

FDN86501LZ

Descriere: MOSFET N-CH 60V 2.6A SSOT3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN357N

FDN357N

Descriere: MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN86265P

FDN86265P

Descriere: MOSFET P-CH 150V 0.8A 3SSOT

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN371N

FDN371N

Descriere: MOSFET N-CH 20V 2.5A SSOT-3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN359AN

FDN359AN

Descriere: MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT-3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN86246

FDN86246

Descriere: MOSFET N-CH 150V 1.6A 3SSOT

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN342P

FDN342P

Descriere: MOSFET P-CH 20V 2A SSOT-3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN360P

FDN360P

Descriere: MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN5630

FDN5630

Descriere: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN8601

FDN8601

Descriere: MOSFET N-CH 100V 2.7A 3SSOT

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN359BN

FDN359BN

Descriere: MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN5618P

FDN5618P

Descriere: MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN361BN

FDN361BN

Descriere: MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN352AP

FDN352AP

Descriere: MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN5632N-F085

FDN5632N-F085

Descriere: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN359BN

FDN359BN

Descriere: MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT

Producători: Fairchild/ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN361AN

FDN361AN

Descriere: MOSFET N-CH 30V 1.8A SSOT-3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.