Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > FDN360P
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
5054178

FDN360P

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$0.57
10+
$0.448
100+
$0.308
500+
$0.211
1000+
$0.158
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    FDN360P
  • Producator / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    1.FDN360P.pdf
    2.FDN360P.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    SuperSOT-3
  • Serie
    PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    80 mOhm @ 2A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    500mW (Ta)
  • ambalare
    Cut Tape (CT)
  • Pachet / Caz
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Alte nume
    FDN360P_F095CT
    FDN360P_F095CT-ND
    FDN360PCT
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    42 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    298pF @ 15V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    9nC @ 10V
  • Tipul FET
    P-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    4.5V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    P-Channel 30V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    2A (Ta)

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „FDN360P”.
FDN342P

FDN342P

Descriere: MOSFET P-CH 20V 2A SSOT-3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN361AN

FDN361AN

Descriere: MOSFET N-CH 30V 1.8A SSOT-3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN361BN

FDN361BN

Descriere: MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN339AN

FDN339AN

Descriere: MOSFET N-CH 20V 3A SSOT3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN359BN

FDN359BN

Descriere: MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT

Producători: Fairchild/ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN5618P

FDN5618P

Descriere: MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN359BN

FDN359BN

Descriere: MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN5630

FDN5630

Descriere: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN359AN

FDN359AN

Descriere: MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT-3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN8601

FDN8601

Descriere: MOSFET N-CH 100V 2.7A 3SSOT

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN339AN_G

FDN339AN_G

Descriere: MOSFET N-CH

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN372S

FDN372S

Descriere: MOSFET N-CH 30V 2.6A SSOT-3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN537N

FDN537N

Descriere: MOSFET N-CH 30V 6.5A SSOT-3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN5618P_G

FDN5618P_G

Descriere: INTEGRATED CIRCUIT

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN340P

FDN340P

Descriere: MOSFET P-CH 20V 2A SSOT3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN371N

FDN371N

Descriere: MOSFET N-CH 20V 2.5A SSOT-3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN5632N-F085

FDN5632N-F085

Descriere: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN358P

FDN358P

Descriere: MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN357N

FDN357N

Descriere: MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN352AP

FDN352AP

Descriere: MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.