Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > FDI030N06
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
3477783FDI030N06 ImagineAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDI030N06

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$5.75
10+
$5.132
100+
$4.208
500+
$3.408
1000+
$2.874
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    FDI030N06
  • Producator / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    FDI030N06.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    I2PAK (TO-262)
  • Serie
    PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.2 mOhm @ 75A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    231W (Tc)
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    9815pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    151nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    60V
  • descriere detaliata
    N-Channel 60V 120A (Tc) 231W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    120A (Tc)

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „FDI030N06”.
FDI18-187Q

FDI18-187Q

Descriere: FM DISCONNECT FULLY NYLON INS

Producători: 3M
In stoc
RFQ
FDI33N25TU

FDI33N25TU

Descriere: MOSFET N-CH 250V 33A I2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDI3632

FDI3632

Descriere: MOSFET N-CH 100V 80A TO-262AB

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDI047AN08A0

FDI047AN08A0

Descriere: MOSFET N-CH 75V 80A TO-262AB

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDI14-250C

FDI14-250C

Descriere: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250

Producători: 3M
In stoc
RFQ
FDI040N06

FDI040N06

Descriere: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDI8441_F085

FDI8441_F085

Descriere: MOSFET N-CH 40V 26A TO-262AB

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDI025N06

FDI025N06

Descriere: MOSFET N-CH 60V 265A TO-262

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDI038AN06A0

FDI038AN06A0

Descriere: MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDI150N10

FDI150N10

Descriere: MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDI14-250Q

FDI14-250Q

Descriere: FM DISCONNECT FULLY NYLON INS

Producători: 3M
In stoc
RFQ
FDI045N10A

FDI045N10A

Descriere: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDI8441

FDI8441

Descriere: MOSFET N-CH 40V 80A TO-262AB

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDI3652

FDI3652

Descriere: MOSFET N-CH 100V 61A TO-262AA

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDI18-250Q

FDI18-250Q

Descriere: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250

Producători: 3M
In stoc
RFQ
FDI14-187Q

FDI14-187Q

Descriere: FM DISCONNECT FULLY NYLON INS

Producători: 3M
In stoc
RFQ
FDI2532

FDI2532

Descriere: MOSFET N-CH 150V 79A TO-262AB

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDI8442

FDI8442

Descriere: MOSFET N-CH 40V 80A TO-262

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDI10-250Q

FDI10-250Q

Descriere: FM DISCONNECT FULLY NYLON 1=1PC

Producători: 3M
In stoc
RFQ
FDI045N10A-F102

FDI045N10A-F102

Descriere: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.