Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > FDI33N25TU
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
3370671

FDI33N25TU

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    FDI33N25TU
  • Producator / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 250V 33A I2PAK
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    FDI33N25TU.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    I2PAK (TO-262)
  • Serie
    UniFET™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    94 mOhm @ 16.5A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    235W (Tc)
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    2135pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    48nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    250V
  • descriere detaliata
    N-Channel 250V 33A (Tc) 235W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    33A (Tc)

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „FDI33N25TU”.
FDI038AN06A0

FDI038AN06A0

Descriere: MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDI3652

FDI3652

Descriere: MOSFET N-CH 100V 61A TO-262AA

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDI14-187Q

FDI14-187Q

Descriere: FM DISCONNECT FULLY NYLON INS

Producători: 3M
In stoc
RFQ
FDI040N06

FDI040N06

Descriere: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDI9406-F085

FDI9406-F085

Descriere: MOSFET N-CH 40V 110A TO262AB

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDI8442

FDI8442

Descriere: MOSFET N-CH 40V 80A TO-262

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDI14-250Q

FDI14-250Q

Descriere: FM DISCONNECT FULLY NYLON INS

Producători: 3M
In stoc
RFQ
FDI10-250Q

FDI10-250Q

Descriere: FM DISCONNECT FULLY NYLON 1=1PC

Producători: 3M
In stoc
RFQ
FDI18-187Q

FDI18-187Q

Descriere: FM DISCONNECT FULLY NYLON INS

Producători: 3M
In stoc
RFQ
FDI18-250Q

FDI18-250Q

Descriere: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250

Producători: 3M
In stoc
RFQ
FDI8441_F085

FDI8441_F085

Descriere: MOSFET N-CH 40V 26A TO-262AB

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDI045N10A

FDI045N10A

Descriere: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDI9409-F085

FDI9409-F085

Descriere: MOSFET N-CH 40V

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDI2532

FDI2532

Descriere: MOSFET N-CH 150V 79A TO-262AB

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDI047AN08A0

FDI047AN08A0

Descriere: MOSFET N-CH 75V 80A TO-262AB

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDI14-250C

FDI14-250C

Descriere: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250

Producători: 3M
In stoc
RFQ
FDI8441

FDI8441

Descriere: MOSFET N-CH 40V 80A TO-262AB

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDI150N10

FDI150N10

Descriere: MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDI045N10A-F102

FDI045N10A-F102

Descriere: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDI3632

FDI3632

Descriere: MOSFET N-CH 100V 80A TO-262AB

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.