Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > BVSS84LT1G
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
666008BVSS84LT1G ImagineAMI Semiconductor / ON Semiconductor

BVSS84LT1G

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
3000+
$0.081
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    BVSS84LT1G
  • Producator / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23-3
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    BVSS84LT1G.pdf
  • Modelul ECAD
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    SOT-23-3
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10 Ohm @ 100mA, 5V
  • Distrugerea puterii (Max)
    225mW (Ta)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Alte nume
    BVSS84LT1G-ND
    BVSS84LT1GOSTR
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    36 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    36pF @ 5V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    2.2nC @ 10V
  • Tipul FET
    P-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    5V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    50V
  • descriere detaliata
    P-Channel 50V 130mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    130mA (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „BVSS84LT1G”.
AUIRLR3636

AUIRLR3636

Descriere: MOSFET N-CH 60V 99A DPAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
DMN3009SFG-7

DMN3009SFG-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
BVSS123LT1G

BVSS123LT1G

Descriere: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
BVSD-2032-PC

BVSD-2032-PC

Descriere: VERT SNAP DRAGON CR2032 PC PIN

Producători: MPD (Memory Protection Devices)
In stoc
RFQ
BVSS138LT1G

BVSS138LT1G

Descriere: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NTHS5443T1G

NTHS5443T1G

Descriere: MOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFET

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
BUK7606-55B,118

BUK7606-55B,118

Descriere: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

Producători: Nexperia
In stoc
RFQ
SQJ411EP-T1_GE3

SQJ411EP-T1_GE3

Descriere: MOSFET P-CH 12V 60A POWERPAKSO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
APTM120U10DAG

APTM120U10DAG

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 116A SP6

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
IRF7811TR

IRF7811TR

Descriere: MOSFET N-CH 28V 14A 8-SOIC

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
ZXMP10A18K

ZXMP10A18K

Descriere: MOSFET P-CH 100V 3.8A DPAK

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
BVSD-2032-COVER

BVSD-2032-COVER

Descriere: COVER FOR VERT SNAP DRAGON HLDR

Producători: MPD (Memory Protection Devices)
In stoc
RFQ
FDS7088SN3

FDS7088SN3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
R6020ANX

R6020ANX

Descriere: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
IRF830PBF

IRF830PBF

Descriere: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
AUIRF7416QTR

AUIRF7416QTR

Descriere: MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IXTQ280N055T

IXTQ280N055T

Descriere: MOSFET N-CH 55V 280A TO-3P

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
BVSD-2032-SM

BVSD-2032-SM

Descriere: VERT SNAP DRAGON CR2032 SMT

Producători: MPD (Memory Protection Devices)
In stoc
RFQ
AOD2606

AOD2606

Descriere: MOSFET N-CH 60V 46A TO252

Producători: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
In stoc
RFQ
FQA10N60C

FQA10N60C

Descriere: MOSFET N-CH 600V 10A TO-3P

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neȘtiriHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.