Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > BVSS123LT1G
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
6946695BVSS123LT1G ImagineAMI Semiconductor / ON Semiconductor

BVSS123LT1G

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
3000+
$0.076
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    BVSS123LT1G
  • Producator / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    BVSS123LT1G.pdf
  • Modelul ECAD
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2.8V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    SOT-23-3
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6 Ohm @ 100mA, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    225mW (Ta)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Alte nume
    BVSS123LT1G-ND
    BVSS123LT1GOSTR
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    40 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    20pF @ 25V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    100V
  • descriere detaliata
    N-Channel 100V 170mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    170mA (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „BVSS123LT1G”.
IRF2804

IRF2804

Descriere: MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
SI3400A-TP

SI3400A-TP

Descriere: N-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE

Producători: Micro Commercial Components (MCC)
In stoc
RFQ
STB34N50DM2AG

STB34N50DM2AG

Descriere: MOSFET N-CH 500V 26A

Producători: STMicroelectronics
In stoc
RFQ
IXFX210N30X3

IXFX210N30X3

Descriere: 300V/210A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
CPH3455-TL-H

CPH3455-TL-H

Descriere: MOSFET N-CH 35V 3A CPH3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
SIB417AEDK-T1-GE3

SIB417AEDK-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 8V 9A PWRPACK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
BVSS84LT1G

BVSS84LT1G

Descriere: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23-3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
IRF9510L

IRF9510L

Descriere: MOSFET P-CH 100V 4A TO-262

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
BVSD-2032-SM

BVSD-2032-SM

Descriere: VERT SNAP DRAGON CR2032 SMT

Producători: MPD (Memory Protection Devices)
In stoc
RFQ
BVSD-2032-PC

BVSD-2032-PC

Descriere: VERT SNAP DRAGON CR2032 PC PIN

Producători: MPD (Memory Protection Devices)
In stoc
RFQ
IXFB90N85X

IXFB90N85X

Descriere: 850V/90A ULT JUNC X-C HIPERFET P

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
VMO550-01F

VMO550-01F

Descriere: MOSFET N-CH 100V 590A Y3-DCB

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IRF7483MTRPBF

IRF7483MTRPBF

Descriere: MOSFET N-CH 40V 135A

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
FQP3N25

FQP3N25

Descriere: MOSFET N-CH 250V 2.8A TO-220

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
IRFR024TRL

IRFR024TRL

Descriere: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
BVSS138LT1G

BVSS138LT1G

Descriere: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
STF13NM60N-H

STF13NM60N-H

Descriere: MOSFET N-CH 600V 11A TO-220FP

Producători: STMicroelectronics
In stoc
RFQ
IRFR13N20DCPBF

IRFR13N20DCPBF

Descriere: MOSFET N-CH 200V 13A DPAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
STP2N95K5

STP2N95K5

Descriere: MOSFET N-CH 950V 2A TO220

Producători: STMicroelectronics
In stoc
RFQ
BVSD-2032-COVER

BVSD-2032-COVER

Descriere: COVER FOR VERT SNAP DRAGON HLDR

Producători: MPD (Memory Protection Devices)
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neȘtiriHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.