Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Circuite integrate (IC) > Memorie > W988D2FBJX6I TR
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
1184823W988D2FBJX6I TR ImagineWinbond Electronics Corporation

W988D2FBJX6I TR

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
2500+
$2.944
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    W988D2FBJX6I TR
  • Producator / Marca
    Winbond Electronics Corporation
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    W988D2FBJX6I TR.pdf
  • Scrieți timpul ciclului - Word, Page
    15ns
  • Tensiune - Aprovizionare
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tehnologie
    SDRAM - Mobile LPSDR
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    90-VFBGA (8x13)
  • Serie
    -
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    90-TFBGA
  • Alte nume
    W988D2FBJX6I TR-ND
    W988D2FBJX6ITR
  • Temperatura de Operare
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tip de memorie
    Volatile
  • Dimensiunea memoriei
    256Mb (8M x 32)
  • Interfața de memorie
    Parallel
  • Formatul memoriei
    DRAM
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • descriere detaliata
    SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 166MHz 5.4ns 90-VFBGA (8x13)
  • Frecvența ceasului
    166MHz
  • Timpul de acces
    5.4ns

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „W988D2FBJX6I TR”.
W988D6FBGX7E

W988D6FBGX7E

Descriere: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Producători: Winbond Electronics Corporation
In stoc
RFQ
W988D6FBGX6E

W988D6FBGX6E

Descriere: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Producători: Winbond Electronics Corporation
In stoc
RFQ
W988D2FBJX6I

W988D2FBJX6I

Descriere: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Producători: Winbond Electronics Corporation
In stoc
RFQ
W988D6FBGX6E TR

W988D6FBGX6E TR

Descriere: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Producători: Winbond Electronics Corporation
In stoc
RFQ
W987D6HBGX6I

W987D6HBGX6I

Descriere: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Producători: Winbond Electronics Corporation
In stoc
RFQ
W989D2DBJX6I

W989D2DBJX6I

Descriere: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Producători: Winbond Electronics Corporation
In stoc
RFQ
W988D6FBGX7E TR

W988D6FBGX7E TR

Descriere: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Producători: Winbond Electronics Corporation
In stoc
RFQ
W987D6HBGX6E

W987D6HBGX6E

Descriere: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Producători: Winbond Electronics Corporation
In stoc
RFQ
W987D6HBGX6I TR

W987D6HBGX6I TR

Descriere: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Producători: Winbond Electronics Corporation
In stoc
RFQ
W988D2FBJX6E

W988D2FBJX6E

Descriere: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Producători: Winbond Electronics Corporation
In stoc
RFQ
W989D2DBJX6I TR

W989D2DBJX6I TR

Descriere: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Producători: Winbond Electronics Corporation
In stoc
RFQ
W987D6HBGX7E TR

W987D6HBGX7E TR

Descriere: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Producători: Winbond Electronics Corporation
In stoc
RFQ
W988D6FBGX6I

W988D6FBGX6I

Descriere: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Producători: Winbond Electronics Corporation
In stoc
RFQ
W988D2FBJX7E

W988D2FBJX7E

Descriere: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Producători: Winbond Electronics Corporation
In stoc
RFQ
W987D2HBJX7E TR

W987D2HBJX7E TR

Descriere: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Producători: Winbond Electronics Corporation
In stoc
RFQ
W987D6HBGX7E

W987D6HBGX7E

Descriere: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Producători: Winbond Electronics Corporation
In stoc
RFQ
W988D2FBJX7E TR

W988D2FBJX7E TR

Descriere: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Producători: Winbond Electronics Corporation
In stoc
RFQ
W987D6HBGX6E TR

W987D6HBGX6E TR

Descriere: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Producători: Winbond Electronics Corporation
In stoc
RFQ
W988D6FBGX6I TR

W988D6FBGX6I TR

Descriere: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Producători: Winbond Electronics Corporation
In stoc
RFQ
W988D2FBJX6E TR

W988D2FBJX6E TR

Descriere: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Producători: Winbond Electronics Corporation
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.