Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Diode - Redresoare - Single > UH3B-M3/9AT
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
3456908UH3B-M3/9AT ImagineVishay Semiconductor Diodes Division

UH3B-M3/9AT

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
7000+
$0.202
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    UH3B-M3/9AT
  • Producator / Marca
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    DIODE GEN PURP 100V 2.5A DO214AB
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    UH3B-M3/9AT.pdf
  • Voltaj - vârf înapoi (Max)
    Standard
  • Tensiune - înainte (Vf) (Max) @ Dacă
    2.5A
  • Tensiune - Defalcare
    DO-214AB, (SMC)
  • Serie
    -
  • Starea RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Timp de recuperare invers (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Rezistență @ Dacă, F
    42pF @ 4V, 1MHz
  • Polarizare
    DO-214AB, SMC
  • Temperatura de funcționare - Junction
    40ns
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    35 Weeks
  • Codul producătorului
    UH3B-M3/9AT
  • Descriere extinsă
    Diode Standard 100V 2.5A Surface Mount DO-214AB, (SMC)
  • Configurarea diodelor
    5µA @ 100V
  • Descriere
    DIODE GEN PURP 100V 2.5A DO214AB
  • Curenți - Scurgeri inverse @ Vr
    1.05V @ 3A
  • Curent - medie rectificată (Io) (per diodă)
    100V
  • Capacitate @ Vr, F
    -55°C ~ 175°C

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „UH3B-M3/9AT”.
UH3B-E3/9AT

UH3B-E3/9AT

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
UH3CHE3_A/I

UH3CHE3_A/I

Descriere: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
UH3C-E3/9AT

UH3C-E3/9AT

Descriere: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
UH3D-E3/57T

UH3D-E3/57T

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
UH3BHE3_A/H

UH3BHE3_A/H

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
UH3D-E3/9AT

UH3D-E3/9AT

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
UH3B-M3/57T

UH3B-M3/57T

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 2.5A DO214AB

Producători: Vishay Semiconductor Diodes Division
In stoc
RFQ
VS-10MQ100HM3/5AT

VS-10MQ100HM3/5AT

Descriere: DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
UH3DHE3_A/I

UH3DHE3_A/I

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
UH3DHE3_A/H

UH3DHE3_A/H

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
UH3CHE3_A/H

UH3CHE3_A/H

Descriere: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
UH3C-M3/9AT

UH3C-M3/9AT

Descriere: DIODE GEN PURP 150V 2.5A DO214AB

Producători: Vishay Semiconductor Diodes Division
In stoc
RFQ
UH3BHE3_A/I

UH3BHE3_A/I

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
UH3C-E3/57T

UH3C-E3/57T

Descriere: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
UH3D-M3/9AT

UH3D-M3/9AT

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 2.5A DO214AB

Producători: Vishay Semiconductor Diodes Division
In stoc
RFQ
UH3B-E3/57T

UH3B-E3/57T

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
UH3C-M3/57T

UH3C-M3/57T

Descriere: DIODE GEN PURP 150V 2.5A DO214AB

Producători: Vishay Semiconductor Diodes Division
In stoc
RFQ
UH3D-M3/57T

UH3D-M3/57T

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 2.5A DO214AB

Producători: Vishay Semiconductor Diodes Division
In stoc
RFQ
ZHCS500TA

ZHCS500TA

Descriere: DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
VS-1N5819

VS-1N5819

Descriere: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO204AL

Producători: Vishay Semiconductor Diodes Division
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.