Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > TPH8R80ANH,L1Q
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
5859888TPH8R80ANH,L1Q ImagineToshiba Semiconductor and Storage

TPH8R80ANH,L1Q

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
5000+
$0.777
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    TPH8R80ANH,L1Q
  • Producator / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    TPH8R80ANH,L1Q.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4V @ 500µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    8-SOP Advance (5x5)
  • Serie
    U-MOSVIII-H
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.8 mOhm @ 16A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    1.6W (Ta), 61W (Tc)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    8-PowerVDFN
  • Alte nume
    TPH8R80ANH,L1Q(M
    TPH8R80ANHL1Q
    TPH8R80ANHL1QTR
  • Temperatura de Operare
    150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    2800pF @ 50V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    33nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    100V
  • descriere detaliata
    N-Channel 100V 32A (Tc) 1.6W (Ta), 61W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    32A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „TPH8R80ANH,L1Q”.
TPH8R903NL,LQ

TPH8R903NL,LQ

Descriere: MOSFET N CH 30V 20A 8SOP

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
TPH8R008NH,L1Q

TPH8R008NH,L1Q

Descriere: MOSFET N CH 80V 34A SOP

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
TPH7R506NH,L1Q

TPH7R506NH,L1Q

Descriere: MOSFET N CH 60V 22A 8-SOP ADV

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
TPH6400ENH,L1Q

TPH6400ENH,L1Q

Descriere: MOSFET N-CH 200V 21A 8-SOP

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
TPHCS250-M

TPHCS250-M

Descriere: FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASS

Producători: Bussmann (Eaton)
In stoc
RFQ
TPH7R204PL,LQ

TPH7R204PL,LQ

Descriere: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
TPHCS250-ML

TPHCS250-ML

Descriere: FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASS

Producători: Bussmann (Eaton)
In stoc
RFQ
TPHCS250-E

TPHCS250-E

Descriere: FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASS

Producători: Bussmann (Eaton)
In stoc
RFQ
TPH5900CNH,L1Q

TPH5900CNH,L1Q

Descriere: MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
TPHCS250-P

TPHCS250-P

Descriere: FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASS

Producători: Bussmann (Eaton)
In stoc
RFQ
TPH5R906NH,L1Q

TPH5R906NH,L1Q

Descriere: MOSFET N CH 60V 28A 8-SOP ADV

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
TPHCS-B-EL

TPHCS-B-EL

Descriere: BASE FOR TPHCS FUSEHOLDER/SWITCH

Producători: Bussmann (Eaton)
In stoc
RFQ
TPH6R30ANL,L1Q

TPH6R30ANL,L1Q

Descriere: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
TPH6R004PL,LQ

TPH6R004PL,LQ

Descriere: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
TPH6R003NL,LQ

TPH6R003NL,LQ

Descriere: MOSFET N CH 30V 38A 8SOP

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
TPHCS-B-M

TPHCS-B-M

Descriere: BASE FOR TPHCS FUSEHOLDER/SWITCH

Producători: Bussmann (Eaton)
In stoc
RFQ
TPHCS-B-E

TPHCS-B-E

Descriere: BASE FOR TPHCS FUSEHOLDER/SWITCH

Producători: Bussmann (Eaton)
In stoc
RFQ
TPHCS-B-ML

TPHCS-B-ML

Descriere: BASE FOR TPHCS FUSEHOLDER/SWITCH

Producători: Bussmann (Eaton)
In stoc
RFQ
TPHCS250-EL

TPHCS250-EL

Descriere: FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASS

Producători: Bussmann (Eaton)
In stoc
RFQ
TPH7R006PL,L1Q

TPH7R006PL,L1Q

Descriere: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.