Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays > TPC8211(TE12L,Q,M)
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
6801583

TPC8211(TE12L,Q,M)

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    TPC8211(TE12L,Q,M)
  • Producator / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET 2N-CH 30V 5.5A SOP8
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    1.TPC8211(TE12L,Q,M).pdf
    2.TPC8211(TE12L,Q,M).pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    8-SOP (5.5x6.0)
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    36 mOhm @ 3A, 10V
  • Putere - Max
    450mW
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • Temperatura de Operare
    150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    1250pF @ 10V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    25nC @ 10V
  • Tipul FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Feature
    Logic Level Gate
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.5A 450mW Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    5.5A

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „TPC8211(TE12L,Q,M)”.
TPC8405(TE12L,Q,M)

TPC8405(TE12L,Q,M)

Descriere: MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOP

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
TPC817S1B RAG

TPC817S1B RAG

Descriere: OPTOISO 5KV TRANS 4SOP

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
TPC8408,LQ(S

TPC8408,LQ(S

Descriere: MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.3A 8SOP

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
TPC8221-H,LQ(S

TPC8221-H,LQ(S

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
TPC817MC C9G

TPC817MC C9G

Descriere: OPTOISO 5KV TRANS DIP-4M

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
TPC8207(TE12L)

TPC8207(TE12L)

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-SOP

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
TPC8213-H(TE12LQ,M

TPC8213-H(TE12LQ,M

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 5A SOP8

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
TPC8A06-H(TE12LQM)

TPC8A06-H(TE12LQM)

Descriere: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
TPC8207(TE12L,Q)

TPC8207(TE12L,Q)

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-SOP

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
TPC8407,LQ(S

TPC8407,LQ(S

Descriere: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7.4A 8SOP

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
TPC8208(TE12L,Q,M)

TPC8208(TE12L,Q,M)

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 5A SOP8

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
TPC8A02-H(TE12L,Q)

TPC8A02-H(TE12L,Q)

Descriere: MOSFET N-CH 30V 16A SOP8 2-6J1B

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
TPC8223-H,LQ(S

TPC8223-H,LQ(S

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
TPC8A05-H(TE12L,QM

TPC8A05-H(TE12L,QM

Descriere: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
TPC8212-H(TE12LQ,M

TPC8212-H(TE12LQ,M

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
TPC817S1D RAG

TPC817S1D RAG

Descriere: OPTOISO 5KV TRANS 4SOP

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
TPC817S1C RAG

TPC817S1C RAG

Descriere: OPTOISO 5KV TRANS 4SOP

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
TPC817MD C9G

TPC817MD C9G

Descriere: OPTOISO 5KV TRANS DIP-4M

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
TPC817S1A RAG

TPC817S1A RAG

Descriere: OPTOISO 5KV TRANS 4SOP

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
TPC8208(TE12L,Q)

TPC8208(TE12L,Q)

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-SOP

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.