Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - Bipolari (BJT) - Unic, Pre-Biased > RN1116MFV,L3F
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
4148678

RN1116MFV,L3F

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
8000+
$0.029
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    RN1116MFV,L3F
  • Producator / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    RN1116MFV,L3F.pdf
  • Tensiune - emițător colector (Max)
    50V
  • Vce Saturație (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Tip tranzistor
    NPN - Pre-Biased
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    VESM
  • Serie
    -
  • Rezistor - bază emițător (R2)
    10 kOhms
  • Rezistor - bază (R1)
    4.7 kOhms
  • Putere - Max
    150mW
  • Pachet / Caz
    SOT-723
  • Alte nume
    RN1116MFVL3F
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecvență - tranziție
    250MHz
  • descriere detaliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VESM
  • DC Creșterea curentului (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    50 @ 10mA, 5V
  • Curentul curent - colector (max)
    500nA
  • Curent - Colector (Ic) (Max)
    100mA

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „RN1116MFV,L3F”.
RN1114MFV,L3F

RN1114MFV,L3F

Descriere: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
RN111PC

RN111PC

Descriere: CONN JACK MONO 6.35MM R/A

Producători: Conxall / Switchcraft
In stoc
RFQ
RN1115MFV,L3F

RN1115MFV,L3F

Descriere: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
RN112-0.4-02-39M

RN112-0.4-02-39M

Descriere: CMC 39MH 400MA 2LN TH

Producători: Schaffner EMC, Inc.
In stoc
RFQ
RN1112CT(TPL3)

RN1112CT(TPL3)

Descriere: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
RN1117MFV,L3F

RN1117MFV,L3F

Descriere: TRANS NPN PREBIAS 50V 100MA VESM

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
RN1119MFV,L3F

RN1119MFV,L3F

Descriere: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
RN112-0.4-02

RN112-0.4-02

Descriere: CMC 39MH 400MA 2LN TH

Producători: Schaffner EMC, Inc.
In stoc
RFQ
RN112-0.5-02

RN112-0.5-02

Descriere: CMC 27MH 500MA 2LN TH

Producători: Schaffner EMC, Inc.
In stoc
RFQ
RN1113CT(TPL3)

RN1113CT(TPL3)

Descriere: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
RN1113ACT(TPL3)

RN1113ACT(TPL3)

Descriere: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
RN1118(T5L,F,T)

RN1118(T5L,F,T)

Descriere: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
RN1114(T5L,F,T)

RN1114(T5L,F,T)

Descriere: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
RN112-0.4-02-27M

RN112-0.4-02-27M

Descriere: CMC 27MH 400MA 2LN TH

Producători: Schaffner EMC, Inc.
In stoc
RFQ
RN1117(T5L,F,T)

RN1117(T5L,F,T)

Descriere: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
RN1118MFV,L3F

RN1118MFV,L3F

Descriere: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
RN1115,LF(CT

RN1115,LF(CT

Descriere: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
RN1113MFV,L3F

RN1113MFV,L3F

Descriere: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
RN1116(TE85L,F)

RN1116(TE85L,F)

Descriere: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
RN1113(T5L,F,T)

RN1113(T5L,F,T)

Descriere: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.