Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Circuite integrate (IC) > Memorie > TC58BYG1S3HBAI6
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
914723TC58BYG1S3HBAI6 ImagineToshiba Memory America, Inc.

TC58BYG1S3HBAI6

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$3.95
10+
$3.58
25+
$3.502
50+
$3.483
100+
$3.124
338+
$3.112
676+
$2.997
1014+
$2.85
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    TC58BYG1S3HBAI6
  • Producator / Marca
    Kioxia America, Inc.
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    TC58BYG1S3HBAI6.pdf
  • Scrieți timpul ciclului - Word, Page
    25ns
  • Tensiune - Aprovizionare
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tehnologie
    FLASH - NAND (SLC)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    67-VFBGA (6.5x8)
  • Serie
    Benand™
  • ambalare
    Tray
  • Pachet / Caz
    67-VFBGA
  • Alte nume
    TC58BYG1S3HBAI6JDH
    TC58BYG1S3HBAI6YCL
  • Temperatura de Operare
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tip de memorie
    Non-Volatile
  • Dimensiunea memoriei
    2Gb (256M x 8)
  • Interfața de memorie
    Parallel
  • Formatul memoriei
    FLASH
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • descriere detaliata
    FLASH - NAND (SLC) Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 25ns 67-VFBGA (6.5x8)
  • Timpul de acces
    25ns

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „TC58BYG1S3HBAI6”.
TC58BVG2S0HTAI0

TC58BVG2S0HTAI0

Descriere: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Producători: Toshiba Memory America, Inc.
In stoc
RFQ
TC58CVG1S3HRAIG

TC58CVG1S3HRAIG

Descriere: 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 3.3V

Producători: Toshiba Memory America, Inc.
In stoc
RFQ
TC58BVG2S0HBAI4

TC58BVG2S0HBAI4

Descriere: IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA

Producători: Toshiba Memory America, Inc.
In stoc
RFQ
TC58CYG2S0HRAIG

TC58CYG2S0HRAIG

Descriere: 4GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

Producători: Toshiba Memory America, Inc.
In stoc
RFQ
TC58BVG2S0HTA00

TC58BVG2S0HTA00

Descriere: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Producători: Toshiba Memory America, Inc.
In stoc
RFQ
TC58CYG0S3HRAIG

TC58CYG0S3HRAIG

Descriere: 1GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

Producători: Toshiba Memory America, Inc.
In stoc
RFQ
TC58BVG1S3HTAI0

TC58BVG1S3HTAI0

Descriere: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Producători: Toshiba Memory America, Inc.
In stoc
RFQ
TC58BYG1S3HBAI4

TC58BYG1S3HBAI4

Descriere: 2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

Producători: Toshiba Memory America, Inc.
In stoc
RFQ
TC58CVG2S0HRAIG

TC58CVG2S0HRAIG

Descriere: IC FLASH 4G SPI 104MHZ 8WSON

Producători: Toshiba Memory America, Inc.
In stoc
RFQ
TC58BYG2S0HBAI6

TC58BYG2S0HBAI6

Descriere: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Producători: Toshiba Memory America, Inc.
In stoc
RFQ
TC58BYG0S3HBAI4

TC58BYG0S3HBAI4

Descriere: 1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

Producători: Toshiba Memory America, Inc.
In stoc
RFQ
TC58BVG1S3HTA00

TC58BVG1S3HTA00

Descriere: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Producători: Toshiba Memory America, Inc.
In stoc
RFQ
TC58BVG1S3HBAI4

TC58BVG1S3HBAI4

Descriere: 2GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE

Producători: Toshiba Memory America, Inc.
In stoc
RFQ
TC58BVG1S3HBAI6

TC58BVG1S3HBAI6

Descriere: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

Producători: Toshiba Memory America, Inc.
In stoc
RFQ
TC58BYG0S3HBAI6

TC58BYG0S3HBAI6

Descriere: IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA

Producători: Toshiba Memory America, Inc.
In stoc
RFQ
TC58CYG0S3HQAIE

TC58CYG0S3HQAIE

Descriere: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP

Producători: Toshiba Memory America, Inc.
In stoc
RFQ
TC58CVG2S0HQAIE

TC58CVG2S0HQAIE

Descriere: IC FLASH 4G SPI 104MHZ 16SOP

Producători: Toshiba Memory America, Inc.
In stoc
RFQ
TC58CVG0S3HQAIE

TC58CVG0S3HQAIE

Descriere: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP

Producători: Toshiba Memory America, Inc.
In stoc
RFQ
TC58CVG0S3HRAIG

TC58CVG0S3HRAIG

Descriere: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON

Producători: Toshiba Memory America, Inc.
In stoc
RFQ
TC58CYG1S3HRAIG

TC58CYG1S3HRAIG

Descriere: 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

Producători: Toshiba Memory America, Inc.
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.