Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > TSM900N10CH X0G
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
7014152TSM900N10CH X0G ImagineTSC (Taiwan Semiconductor)

TSM900N10CH X0G

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$0.81
10+
$0.679
100+
$0.509
500+
$0.373
1000+
$0.289
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    TSM900N10CH X0G
  • Producator / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 100V 15A TO251
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    TSM900N10CH X0G.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-251 (IPAK)
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    90 mOhm @ 5A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    50W (Tc)
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    TO-251-3 Stub Leads, IPak
  • Alte nume
    TSM900N10CH X0G-ND
    TSM900N10CHX0G
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    30 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    1480pF @ 50V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    9.3nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    4.5V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    100V
  • descriere detaliata
    N-Channel 100V 15A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    15A (Tc)

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „TSM900N10CH X0G”.
TSM9117ESA+

TSM9117ESA+

Descriere: IC COMPARATOR 1.6V P-P 8SOIC

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
TSM900N06CP ROG

TSM900N06CP ROG

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO252

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
TSM9-7.0-160-B

TSM9-7.0-160-B

Descriere: SWITCH TACTILE

Producători: E-Switch
In stoc
RFQ
TSM900N06CH X0G

TSM900N06CH X0G

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO251

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
TSM900N10CP ROG

TSM900N10CP ROG

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 100V 15A TO252

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
TSM9117EXK+

TSM9117EXK+

Descriere: IC COMPARATOR 1.6V P-P SC70-5

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
TSM9118EXK+

TSM9118EXK+

Descriere: IC COMPARATOR 1.6V O-D SC70-5

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
TSM8N80CI C0G

TSM8N80CI C0G

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 800V 8A ITO220

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
TSM9118EXK+T

TSM9118EXK+T

Descriere: IC COMPARATOR 1.6V O-D SC70-5

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
TSM9-5.0-260-TR

TSM9-5.0-260-TR

Descriere: SWITCH TACTILE

Producători: E-Switch
In stoc
RFQ
TSM8N80CZ C0G

TSM8N80CZ C0G

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 800V 8A TO220

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
TSM9-4.3-100-TR

TSM9-4.3-100-TR

Descriere: SWITCH TACTILE

Producători: E-Switch
In stoc
RFQ
TSM8S-3.1G-160-TR

TSM8S-3.1G-160-TR

Descriere: SWITCH TACTILE

Producători: E-Switch
In stoc
RFQ
TSM9118EXK+T

TSM9118EXK+T

Descriere: IC COMP 1.6V SNGL W/REF SC70-5

Producători: Touchstone Semiconductor
In stoc
RFQ
TSM9117ESA+T

TSM9117ESA+T

Descriere: IC COMP 1.6V PP W/REF 8SOIC

Producători: Touchstone Semiconductor
In stoc
RFQ
TSM9117EXK+T

TSM9117EXK+T

Descriere: IC COMPARATOR 1.6V P-P SC70-5

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
TSM900N06CW RPG

TSM900N06CW RPG

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 60V 11A SOT223

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
TSM9119EXK+

TSM9119EXK+

Descriere: IC COMPARATOR 1.6V P-P SC70-5

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
TSM9-5.0-160-B

TSM9-5.0-160-B

Descriere: SWITCH TACTILE

Producători: E-Switch
In stoc
RFQ
TSM9117ESA+T

TSM9117ESA+T

Descriere: IC COMPARATOR 1.6V P-P 8SOIC

Producători: Energy Micro (Silicon Labs)
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.