Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Diode - Redresoare - Single > RS1DLWHRVG
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
5561296RS1DLWHRVG ImagineTSC (Taiwan Semiconductor)

RS1DLWHRVG

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
3000+
$0.068
6000+
$0.059
15000+
$0.05
30000+
$0.047
75000+
$0.044
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    RS1DLWHRVG
  • Producator / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    RS1DLWHRVG.pdf
  • Modelul ECAD
  • Tensiune - înainte (Vf) (Max) @ Dacă
    1.3V @ 1A
  • Tensiune - DC înapoi (Vr) (Max)
    200V
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    SOD123W
  • Viteză
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Timp de recuperare invers (trr)
    150ns
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    SOD-123W
  • Alte nume
    RS1DLWHRVGTR
  • Temperatura de funcționare - Junction
    -55°C ~ 175°C
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    12 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipul de diodă
    Standard
  • descriere detaliata
    Diode Standard 200V 1A Surface Mount SOD123W
  • Curenți - Scurgeri inverse @ Vr
    5µA @ 200V
  • Curent - Mediu rectificat (Io)
    1A
  • Capacitate @ Vr, F
    -

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „RS1DLWHRVG”.
RS1DLHMQG

RS1DLHMQG

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
RS1DTR

RS1DTR

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA

Producători: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
In stoc
RFQ
RS1DLHRFG

RS1DLHRFG

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
RS1E170GNTB

RS1E170GNTB

Descriere: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RS1E180BNTB

RS1E180BNTB

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RS1DLHRVG

RS1DLHRVG

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
RS1E280BNTB

RS1E280BNTB

Descriere: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RS1DLHRUG

RS1DLHRUG

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
RS1E130GNTB

RS1E130GNTB

Descriere: MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RS1DLHR3G

RS1DLHR3G

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
RS1E200BNTB

RS1E200BNTB

Descriere: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RS1E240GNTB

RS1E240GNTB

Descriere: MOSFET N-CH 30V 24A 8-HSOP

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RS1E150GNTB

RS1E150GNTB

Descriere: MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RS1E200GNTB

RS1E200GNTB

Descriere: MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RS1DLHRTG

RS1DLHRTG

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
RS1E240BNTB

RS1E240BNTB

Descriere: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
RS1DLHMTG

RS1DLHMTG

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
RS1DLW RVG

RS1DLW RVG

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
RS1DLHRHG

RS1DLHRHG

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
RS1DLHRQG

RS1DLHRQG

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neȘtiriHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.