Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Diode - Redresoare - Single > GPAS1003 MNG
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
2191856

GPAS1003 MNG

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
4000+
$0.274
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    GPAS1003 MNG
  • Producator / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    DIODE GEN PURP 200V 10A TO263AB
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    GPAS1003 MNG.pdf
  • Tensiune - înainte (Vf) (Max) @ Dacă
    1.1V @ 10A
  • Tensiune - DC înapoi (Vr) (Max)
    200V
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-263AB (D²PAK)
  • Viteză
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Alte nume
    GPAS1003 MNG-ND
    GPAS1003MNG
  • Temperatura de funcționare - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    12 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipul de diodă
    Standard
  • descriere detaliata
    Diode Standard 200V 10A Surface Mount TO-263AB (D²PAK)
  • Curenți - Scurgeri inverse @ Vr
    5µA @ 200V
  • Curent - Mediu rectificat (Io)
    10A
  • Capacitate @ Vr, F
    50pF @ 4V, 1MHz

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „GPAS1003 MNG”.
GPAS1005 MNG

GPAS1005 MNG

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 10A TO263AB

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
GPA807HC0G

GPA807HC0G

Descriere: DIODE GEN PURP 8A TO220AC

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
GPAS1007 MNG

GPAS1007 MNG

Descriere: DIODE GEN PURP 10A TO263AB

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
GPA806 C0G

GPA806 C0G

Descriere: DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
GPA807DT-TP

GPA807DT-TP

Descriere: DIODE GPP 8A D2PAK

Producători: Micro Commercial Components (MCC)
In stoc
RFQ
GPA804HC0G

GPA804HC0G

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
GPAS1006 MNG

GPAS1006 MNG

Descriere: DIODE GEN PURP 800V 10A TO263AB

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
GPAS1004 MNG

GPAS1004 MNG

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 10A TO263AB

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
GPAS1002 MNG

GPAS1002 MNG

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 10A TO263AB

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
GPA805HC0G

GPA805HC0G

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
GPA807-BP

GPA807-BP

Descriere: DIODE GPP 8A TO220AC

Producători: Micro Commercial Components (MCC)
In stoc
RFQ
GPA805DT-TP

GPA805DT-TP

Descriere: DIODE GPP 8A D2PAK

Producători: Micro Commercial Components (MCC)
In stoc
RFQ
GPA806-BP

GPA806-BP

Descriere: DIODE GPP 8A TO220AC

Producători: Micro Commercial Components (MCC)
In stoc
RFQ
GPAS1001 MNG

GPAS1001 MNG

Descriere: DIODE GEN PURP 50V 10A TO263AB

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
GPA805-BP

GPA805-BP

Descriere: DIODE GPP 8A TO220AC

Producători: Micro Commercial Components (MCC)
In stoc
RFQ
GPA804DT-TP

GPA804DT-TP

Descriere: DIODE GPP 8A D2PAK

Producători: Micro Commercial Components (MCC)
In stoc
RFQ
GPA806DT-TP

GPA806DT-TP

Descriere: DIODE GPP 8A D2PAK

Producători: Micro Commercial Components (MCC)
In stoc
RFQ
GPA805 C0G

GPA805 C0G

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
GPA807 C0G

GPA807 C0G

Descriere: DIODE GEN PURP 8A TO220AC

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
GPA806HC0G

GPA806HC0G

Descriere: DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.