Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Diode - Redresoare - Single > ESH3B V7G
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
1403489ESH3B V7G ImagineTSC (Taiwan Semiconductor)

ESH3B V7G

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1700+
$0.136
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    ESH3B V7G
  • Producator / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    ESH3B V7G.pdf
  • Modelul ECAD
  • Tensiune - DC înapoi (Vr) (Max)
    100V
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    DO-214AB (SMC)
  • Viteză
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Timp de recuperare invers (trr)
    20ns
  • Pachet / Caz
    DO-214AB, SMC
  • Alte nume
    ESH3B V7G-ND
    ESH3BV7G
  • Temperatura de funcționare - Junction
    -55°C ~ 175°C
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    8 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipul de diodă
    Standard
  • descriere detaliata
    Diode Standard 100V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Curenți - Scurgeri inverse @ Vr
    5µA @ 100V
  • Curent - Mediu rectificat (Io)
    3A
  • Capacitate @ Vr, F
    45pF @ 4V, 1MHz

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „ESH3B V7G”.
ESH3C R7G

ESH3C R7G

Descriere: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
ESH337M025AG3AA

ESH337M025AG3AA

Descriere: CAP ALUM 330UF 20% 25V RADIAL

Producători: KEMET
In stoc
RFQ
ESH337M016AG3AA

ESH337M016AG3AA

Descriere: CAP ALUM 330UF 20% 16V RADIAL

Producători: KEMET
In stoc
RFQ
ESH337M050AH4AA

ESH337M050AH4AA

Descriere: CAP ALUM 330UF 20% 50V RADIAL

Producători: KEMET
In stoc
RFQ
ESH3C M6G

ESH3C M6G

Descriere: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
ESH3BHE3/57T

ESH3BHE3/57T

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
ESH336M063AG3AA

ESH336M063AG3AA

Descriere: CAP ALUM 33UF 20% 63V RADIAL

Producători: KEMET
In stoc
RFQ
ESH338M010AL3AA

ESH338M010AL3AA

Descriere: CAP ALUM 3300UF 20% 10V RADIAL

Producători: KEMET
In stoc
RFQ
ESH3B-M3/57T

ESH3B-M3/57T

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
ESH3BHE3_A/I

ESH3BHE3_A/I

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
ESH3B R7G

ESH3B R7G

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
ESH3BHE3_A/H

ESH3BHE3_A/H

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
ESH336M050AE3AA

ESH336M050AE3AA

Descriere: CAP ALUM 33UF 20% 50V RADIAL

Producători: KEMET
In stoc
RFQ
ESH3B-M3/9AT

ESH3B-M3/9AT

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
ESH3BHE3/9AT

ESH3BHE3/9AT

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
ESH3B-E3/57T

ESH3B-E3/57T

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
ESH3B-E3/9AT

ESH3B-E3/9AT

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
ESH3B M6G

ESH3B M6G

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
ESH337M035AH1AA

ESH337M035AH1AA

Descriere: CAP ALUM 330UF 20% 35V RADIAL

Producători: KEMET
In stoc
RFQ
ESH3B V6G

ESH3B V6G

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neȘtiriHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.