Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Diode - Redresoare - Single > ESH2BA R3G
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
1790401ESH2BA R3G ImagineTSC (Taiwan Semiconductor)

ESH2BA R3G

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
3600+
$0.136
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    ESH2BA R3G
  • Producator / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    ESH2BA R3G.pdf
  • Tensiune - înainte (Vf) (Max) @ Dacă
    900mV @ 1A
  • Tensiune - DC înapoi (Vr) (Max)
    100V
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    DO-214AC (SMA)
  • Viteză
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Timp de recuperare invers (trr)
    25ns
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    DO-214AC, SMA
  • Alte nume
    ESH2BA R3G-ND
    ESH2BAR3G
  • Temperatura de funcționare - Junction
    -55°C ~ 175°C
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    8 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipul de diodă
    Standard
  • descriere detaliata
    Diode Standard 100V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Curenți - Scurgeri inverse @ Vr
    1µA @ 200V
  • Curent - Mediu rectificat (Io)
    1A
  • Capacitate @ Vr, F
    25pF @ 4V, 1MHz

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „ESH2BA R3G”.
ESH2B R5G

ESH2B R5G

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
ESH2B-M3/5BT

ESH2B-M3/5BT

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
ESH228M050AN2AA

ESH228M050AN2AA

Descriere: CAP ALUM 2200UF 20% 50V RADIAL

Producători: KEMET
In stoc
RFQ
ESH2C R5G

ESH2C R5G

Descriere: DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
ESH2B-E3/5BT

ESH2B-E3/5BT

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
ESH2BHE3_A/H

ESH2BHE3_A/H

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
ESH2BA M2G

ESH2BA M2G

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
ESH228M050AM3AA

ESH228M050AM3AA

Descriere: CAP ALUM 2200UF 20% 50V T/H

Producători: KEMET
In stoc
RFQ
ESH2B-E3/52T

ESH2B-E3/52T

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
ESH2C-E3/52T

ESH2C-E3/52T

Descriere: DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
ESH2C-M3/5BT

ESH2C-M3/5BT

Descriere: DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
ESH2CA M2G

ESH2CA M2G

Descriere: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
ESH228M035AM7AA

ESH228M035AM7AA

Descriere: CAP ALUM 2200UF 20% 35V RADIAL

Producători: KEMET
In stoc
RFQ
ESH2BHE3/52T

ESH2BHE3/52T

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
ESH2BHE3_A/I

ESH2BHE3_A/I

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
ESH228M025AM7AA

ESH228M025AM7AA

Descriere: CAP ALUM 2200UF 20% 25V RADIAL

Producători: KEMET
In stoc
RFQ
ESH2C-E3/5BT

ESH2C-E3/5BT

Descriere: DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
ESH2B-M3/52T

ESH2B-M3/52T

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
ESH2BHE3/5BT

ESH2BHE3/5BT

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
ESH2C-M3/52T

ESH2C-M3/52T

Descriere: DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.