Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Diode - Redresoare - Single > ESH1B M2G
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
4128961ESH1B M2G ImagineTSC (Taiwan Semiconductor)

ESH1B M2G

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
15000+
$0.069
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    ESH1B M2G
  • Producator / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    ESH1B M2G.pdf
  • Tensiune - înainte (Vf) (Max) @ Dacă
    900mV @ 1A
  • Tensiune - DC înapoi (Vr) (Max)
    100V
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    DO-214AC (SMA)
  • Viteză
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Timp de recuperare invers (trr)
    15ns
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    DO-214AC, SMA
  • Alte nume
    ESH1B M2G-ND
    ESH1BM2G
  • Temperatura de funcționare - Junction
    -55°C ~ 175°C
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    8 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipul de diodă
    Standard
  • descriere detaliata
    Diode Standard 100V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Curenți - Scurgeri inverse @ Vr
    1µA @ 100V
  • Curent - Mediu rectificat (Io)
    1A
  • Capacitate @ Vr, F
    16pF @ 4V, 1MHz

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26

Cartea grafică NVIDIA RTX 5090 are o suprafață GPU de 74...

2024/11/25

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „ESH1B M2G”.
ESH158M035AM7AA

ESH158M035AM7AA

Descriere: CAP ALUM 1500UF 20% 35V RADIAL

Producători: KEMET
In stoc
RFQ
ESH108M063AM2AA

ESH108M063AM2AA

Descriere: CAP ALUM 1000UF 20% 63V T/H

Producători: KEMET
In stoc
RFQ
ESH1B R3G

ESH1B R3G

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
ESH1C M2G

ESH1C M2G

Descriere: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
ESH1B-E3/5AT

ESH1B-E3/5AT

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
ESH1C-E3/5AT

ESH1C-E3/5AT

Descriere: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
ESH108M025AL3AA

ESH108M025AL3AA

Descriere: CAP ALUM 1000UF 20% 25V RADIAL

Producători: KEMET
In stoc
RFQ
ESH108M025AH4AA

ESH108M025AH4AA

Descriere: CAP ALUM 1000UF 20% 25V T/H

Producători: KEMET
In stoc
RFQ
ESH1BHE3_A/H

ESH1BHE3_A/H

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
ESH108M050AL4AA

ESH108M050AL4AA

Descriere: CAP ALUM 1000UF 20% 50V RADIAL

Producători: KEMET
In stoc
RFQ
ESH1BHE3_A/I

ESH1BHE3_A/I

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
ESH1B-E3/61T

ESH1B-E3/61T

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
ESH1B-M3/61T

ESH1B-M3/61T

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
ESH157M450AN7AA

ESH157M450AN7AA

Descriere: CAP ALUM 150UF 20% 450V T/H

Producători: KEMET
In stoc
RFQ
ESH1B-M3/5AT

ESH1B-M3/5AT

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
ESH108M6R3AH1AA

ESH108M6R3AH1AA

Descriere: CAP ALUM 1000UF 20% 6.3V RADIAL

Producători: KEMET
In stoc
RFQ
ESH108M016AH4AA

ESH108M016AH4AA

Descriere: CAP ALUM 1000UF 20% 16V RADIAL

Producători: KEMET
In stoc
RFQ
ESH108M050AM7AA

ESH108M050AM7AA

Descriere: CAP ALUM 1000UF 20% 50V RADIAL

Producători: KEMET
In stoc
RFQ
ESH1C R3G

ESH1C R3G

Descriere: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
ESH108M035AL3AA

ESH108M035AL3AA

Descriere: CAP ALUM 1000UF 20% 35V T/H

Producători: KEMET
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.