Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Diode - Redresoare - Single > BYG21M R3G
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
6060714BYG21M R3G ImagineTSC (Taiwan Semiconductor)

BYG21M R3G

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1800+
$0.095
3600+
$0.086
5400+
$0.081
12600+
$0.074
45000+
$0.069
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    BYG21M R3G
  • Producator / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    BYG21M R3G.pdf
  • Modelul ECAD
  • Tensiune - înainte (Vf) (Max) @ Dacă
    1.6V @ 1.5A
  • Tensiune - DC înapoi (Vr) (Max)
    1000V
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    DO-214AC (SMA)
  • Viteză
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Timp de recuperare invers (trr)
    120ns
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    DO-214AC, SMA
  • Alte nume
    BYG21M R3GTR
    BYG21M R3GTR-ND
    BYG21MR3GTR
  • Temperatura de funcționare - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    17 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipul de diodă
    Avalanche
  • descriere detaliata
    Diode Avalanche 1000V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Curenți - Scurgeri inverse @ Vr
    1µA @ 1000V
  • Curent - Mediu rectificat (Io)
    1.5A
  • Capacitate @ Vr, F
    13pF @ 4V, 1MHz

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „BYG21M R3G”.
BYG21M-E3/TR

BYG21M-E3/TR

Descriere: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
BYG21M M2G

BYG21M M2G

Descriere: DIODE AVALANCHE 1.5A DO214AC

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
BYG21K-M3/TR3

BYG21K-M3/TR3

Descriere: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
BYG21KHE3_A/I

BYG21KHE3_A/I

Descriere: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
BYG21MHE3/TR

BYG21MHE3/TR

Descriere: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Producători: Vishay Semiconductor Diodes Division
In stoc
RFQ
BYG21KHE3/TR3

BYG21KHE3/TR3

Descriere: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Producători: Vishay Semiconductor Diodes Division
In stoc
RFQ
BYG21MHE3/TR3

BYG21MHE3/TR3

Descriere: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Producători: Vishay Semiconductor Diodes Division
In stoc
RFQ
BYG21KHE3_A/H

BYG21KHE3_A/H

Descriere: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
BYG21MHE3_A/H

BYG21MHE3_A/H

Descriere: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
BYG21M-E3/TR3

BYG21M-E3/TR3

Descriere: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
BYG21M-M3/TR3

BYG21M-M3/TR3

Descriere: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
BYG21MHE3_A/I

BYG21MHE3_A/I

Descriere: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
BYG21KHM3/TR

BYG21KHM3/TR

Descriere: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Producători: Vishay Semiconductor Diodes Division
In stoc
RFQ
BYG21KHE3/TR

BYG21KHE3/TR

Descriere: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Producători: Vishay Semiconductor Diodes Division
In stoc
RFQ
BYG21KHM3/TR3

BYG21KHM3/TR3

Descriere: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Producători: Vishay Semiconductor Diodes Division
In stoc
RFQ
BYG21KHM3_A/I

BYG21KHM3_A/I

Descriere: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
BYG21KHM3_A/H

BYG21KHM3_A/H

Descriere: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
BYG21M-M3/TR

BYG21M-M3/TR

Descriere: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
BYG21M/54

BYG21M/54

Descriere: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
BYG21MHM2G

BYG21MHM2G

Descriere: DIODE AVALANCHE 1.5A DO214AC

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neȘtiriHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.