Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Diode - Redresoare - Single > 1N5401GHA0G
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
38867091N5401GHA0G ImagineTSC (Taiwan Semiconductor)

1N5401GHA0G

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
5000+
$0.086
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    1N5401GHA0G
  • Producator / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    1N5401GHA0G.pdf
  • Modelul ECAD
  • Tensiune - înainte (Vf) (Max) @ Dacă
    1.1V @ 3A
  • Tensiune - DC înapoi (Vr) (Max)
    100V
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    DO-201AD
  • Viteză
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • ambalare
    Tape & Box (TB)
  • Pachet / Caz
    DO-201AD, Axial
  • Temperatura de funcționare - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    12 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipul de diodă
    Standard
  • descriere detaliata
    Diode Standard 100V 3A Through Hole DO-201AD
  • Curenți - Scurgeri inverse @ Vr
    5µA @ 100V
  • Curent - Mediu rectificat (Io)
    3A
  • Capacitate @ Vr, F
    25pF @ 4V, 1MHz

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „1N5401GHA0G”.
1N5401G

1N5401G

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
1N5401G-T

1N5401G-T

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
1N5402

1N5402

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Producători: Fairchild/ON Semiconductor
In stoc
RFQ
1N5401-TP

1N5401-TP

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

Producători: Micro Commercial Components (MCC)
In stoc
RFQ
1N5401GHB0G

1N5401GHB0G

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
1N5402-E3/51

1N5402-E3/51

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
1N5401/54

1N5401/54

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
1N5401-G

1N5401-G

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

Producători: Comchip Technology
In stoc
RFQ
1N5401-E3/54

1N5401-E3/54

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
1N5401-T

1N5401-T

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
1N5401G B0G

1N5401G B0G

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
1N5401RLG

1N5401RLG

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
1N5401-B

1N5401-B

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
1N5401-E3/73

1N5401-E3/73

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
1N5401GP-TP

1N5401GP-TP

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

Producători: Micro Commercial Components (MCC)
In stoc
RFQ
1N5402

1N5402

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Producători: ON Semiconductor
In stoc
RFQ
1N5402-B

1N5402-B

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
1N5401TA

1N5401TA

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

Producători: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
In stoc
RFQ
1N5401GHR0G

1N5401GHR0G

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
1N5401RL

1N5401RL

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neȘtiriHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.