Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > FJ6K01010L
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
2675395FJ6K01010L ImaginePanasonic

FJ6K01010L

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
3000+
$0.218
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    FJ6K01010L
  • Producator / Marca
    Panasonic
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    FJ6K01010L.pdf
  • Modelul ECAD
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    WSMini6-F1-B
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    34 mOhm @ 1A, 4.5V
  • Distrugerea puterii (Max)
    700mW (Ta)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    6-SMD, Flat Leads
  • Alte nume
    FJ6K01010L-ND
    FJ6K01010LTR
  • Temperatura de Operare
    150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    11 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    1400pF @ 10V
  • Tipul FET
    P-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    1.8V, 4.5V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    12V
  • descriere detaliata
    P-Channel 12V 4A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount WSMini6-F1-B
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    4A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „FJ6K01010L”.
IRL640A

IRL640A

Descriere: MOSFET N-CH 200V 18A TO-220

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
DMP2078LCA3-7

DMP2078LCA3-7

Descriere: MOSFET P-CHAN 8V 24V X4-DSN1006-

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
AUIRFN8405TR

AUIRFN8405TR

Descriere: MOSFET N-CH 40V 187A AUTO

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
NTB5426NT4G

NTB5426NT4G

Descriere: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
ECH8309-TL-H

ECH8309-TL-H

Descriere: MOSFET P-CH 12V 9.5A ECH8

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
IRFP3710PBF

IRFP3710PBF

Descriere: MOSFET N-CH 100V 57A TO-247AC

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
FDBL0330N80

FDBL0330N80

Descriere: MOSFET N-CH 80V 220A 8PSOF

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
IRF9530SPBF

IRF9530SPBF

Descriere: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
IRLR024TRLPBF

IRLR024TRLPBF

Descriere: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
FDMC15N06

FDMC15N06

Descriere: MOSFET N-CH 55V 2.4A MLP

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
IRFS5615TRLPBF

IRFS5615TRLPBF

Descriere: MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IRF640STRR

IRF640STRR

Descriere: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
IRFZ44VZL

IRFZ44VZL

Descriere: MOSFET N-CH 60V 57A TO-262

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
RJK0651DPB-00#J5

RJK0651DPB-00#J5

Descriere: MOSFET N-CH 60V 25A LFPAK

Producători: Renesas Electronics America
In stoc
RFQ
FQP3N80

FQP3N80

Descriere: MOSFET N-CH 800V 3A TO-220

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
HRFZ44N

HRFZ44N

Descriere: MOSFET N-CH 55V 49A TO-220AB

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
IRFU1010ZPBF

IRFU1010ZPBF

Descriere: MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
AOWF20S60

AOWF20S60

Descriere: MOSFET N-CH 600V 20A TO262F

Producători: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
In stoc
RFQ
IXFH30N50P

IXFH30N50P

Descriere: MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AD

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
ZXMN6A09KQTC

ZXMN6A09KQTC

Descriere: MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neȘtiriHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.