Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > FJ3P02100L
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
3224479FJ3P02100L ImaginePanasonic

FJ3P02100L

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$1.26
10+
$1.112
100+
$0.879
500+
$0.681
1000+
$0.538
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    FJ3P02100L
  • Producator / Marca
    Panasonic
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET P CH 20V 4.4A PMCP
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    FJ3P02100L.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    1.05V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    3-PMCP
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    12.5 mOhm @ 3.7A, 4.5V
  • Distrugerea puterii (Max)
    -
  • ambalare
    Cut Tape (CT)
  • Pachet / Caz
    3-SMD, Non-Standard
  • Alte nume
    FJ3P02100LCT
  • Temperatura de Operare
    150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    11 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    3000pF @ 10V
  • Tipul FET
    P-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    2V, 4.5V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    20V
  • descriere detaliata
    P-Channel 20V 4.4A (Ta) Surface Mount 3-PMCP
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    4.4A (Ta)

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „FJ3P02100L”.
IXFX32N50Q

IXFX32N50Q

Descriere: MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
FDR838P

FDR838P

Descriere: MOSFET P-CH 20V 8A SSOT-8

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDS2170N7

FDS2170N7

Descriere: MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
IRLU3110ZPBF

IRLU3110ZPBF

Descriere: MOSFET N-CH 100V 42A IPAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
FJ3303010L

FJ3303010L

Descriere: MOSFET P-CH 30V 100MA SSSMINI3

Producători: Panasonic
In stoc
RFQ
IPD30N06S4L23ATMA2

IPD30N06S4L23ATMA2

Descriere: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
NTD30N02G

NTD30N02G

Descriere: MOSFET N-CH 24V 30A DPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
RJK4514DPK-00#T0

RJK4514DPK-00#T0

Descriere: MOSFET N-CH 450V 22A TO3P

Producători: Renesas Electronics America
In stoc
RFQ
SI7804DN-T1-E3

SI7804DN-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI2318DS-T1-GE3

SI2318DS-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 3A SOT-23

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
E3M0120090D

E3M0120090D

Descriere: E-SERIES 900V, 120 MOHM, G3 SIC

Producători: Cree Wolfspeed
In stoc
RFQ
IPI14N03LA

IPI14N03LA

Descriere: MOSFET N-CH 25V 30A I2PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IXFK170N25X3

IXFK170N25X3

Descriere: MOSFET N-CH 250V 170A TO264

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
2SK3800VR

2SK3800VR

Descriere: MOSFET N-CH 40V TO-220S

Producători: Sanken Electric Co., Ltd.
In stoc
RFQ
IPL60R385CPAUMA1

IPL60R385CPAUMA1

Descriere: MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IPB17N25S3100ATMA1

IPB17N25S3100ATMA1

Descriere: MOSFET N-CH TO263-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IRF3710STRR

IRF3710STRR

Descriere: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
AON6264E

AON6264E

Descriere: MOSFET N-CH 60V 28A 8DFN

Producători: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
In stoc
RFQ
STP11NM65N

STP11NM65N

Descriere: MOSFET N-CH 650V 11A TO-220

Producători: STMicroelectronics
In stoc
RFQ
SUP60N10-18P-E3

SUP60N10-18P-E3

Descriere: MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.