Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > SI4410DY,518
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
3853954

SI4410DY,518

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    SI4410DY,518
  • Producator / Marca
    Freescale / NXP Semiconductors
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 30V SOT96-1
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    8-SO
  • Serie
    TrenchMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    13.5 mOhm @ 10A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    2.5W (Ta)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Alte nume
    934056382518
    SI4410DY /T3
    SI4410DY /T3-ND
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    2 (1 Year)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    34nC @ 5V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    4.5V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    N-Channel 30V 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    -

NXP Launches i.MX RT700 Crossover MCU for AI-Powered Edge D...

2024/10/8

NXP Unveils MC33777 Battery Junction Box IC for EV Safety a...

2024/09/26
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „SI4410DY,518”.
SI4413DDY-T1-GE3

SI4413DDY-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CHANNEL 8SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4413ADY-T1-GE3

SI4413ADY-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4412ADY-T1-E3

SI4412ADY-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4411DY-T1-GE3

SI4411DY-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4410DY

SI4410DY

Descriere: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
SI4411DY-T1-E3

SI4411DY-T1-E3

Descriere: MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4413CDY-T1-GE3

SI4413CDY-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 30V 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4409DY-T1-E3

SI4409DY-T1-E3

Descriere: MOSFET P-CH 150V 1.3A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4410BDY-T1-GE3

SI4410BDY-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4412ADY-T1-GE3

SI4412ADY-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4408DY-T1-E3

SI4408DY-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4410BDY-T1-E3

SI4410BDY-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4406DY-T1-E3

SI4406DY-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4406DY-T1-GE3

SI4406DY-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4410DY

SI4410DY

Descriere: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
SI4410DYTRPBF

SI4410DYTRPBF

Descriere: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
SI4410DYPBF

SI4410DYPBF

Descriere: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
SI4413ADY-T1-E3

SI4413ADY-T1-E3

Descriere: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4408DY-T1-GE3

SI4408DY-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI4409DY-T1-GE3

SI4409DY-T1-GE3

Descriere: MOSFET P-CH 150V 1.3A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.