Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Protecția circuitului > TVS - Dioduri > MXLSMCGLCE8.5AE3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
5128436

MXLSMCGLCE8.5AE3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    MXLSMCGLCE8.5AE3
  • Producator / Marca
    Microsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC DO215AB
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Conține plumb / RoHS neconform
  • Foi de date
    MXLSMCGLCE8.5AE3.pdf
  • Modelul ECAD
  • Tensiune - Standare inversă (tip)
    1
  • Tensiune - Clamping (Max) @ Ipp
    9.44V
  • Tensiune - Defalcare (Min)
    8.5V
  • Tensiune - Defalcare
    SMCG (DO-215AB)
  • Tip
    Zener
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500
  • Starea RoHS
    Bulk
  • Ripple Current - Frecvență scăzută
    General Purpose
  • Protecția liniei electrice
    1500W (1.5kW)
  • Power - vârf de vârf
    100A
  • Polarizare
    DO-215AB, SMC Gull Wing
  • Alte nume
    1086-12034
    1086-12034-MIL
  • Temperatura de Operare
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Codul producătorului
    MXLSMCGLCE8.5AE3
  • Descriere
    TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC DO215AB
  • Curent - vârf de vârf (10 / 1000μs)
    14.4V
  • Capacitate @ Frecventa
    100pF @ 1MHz
  • Canalele bidirecționale
    No

Analog & Power Management ICs: The Key to Future Intell...

2025/02/11

USC Develops Chip-Based Pulse-Mode EPR Sensor for Electroni...

2025/02/10

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „MXLSMCGLCE8.5AE3”.
MXLSMCGLCE7.5AE3

MXLSMCGLCE7.5AE3

Descriere: TVS DIODE 7.5VWM 12.9VC DO215AB

Producători: Microsemi Corporation
In stoc
RFQ
MXLSMCGLCE8.0A

MXLSMCGLCE8.0A

Descriere: TVS DIODE 8VWM 13.6VC DO215AB

Producători: Microsemi Corporation
In stoc
RFQ
MXLSMCJ100A

MXLSMCJ100A

Descriere: TVS DIODE 100V 162V DO214AB

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
MXLSMCGLCE90AE3

MXLSMCGLCE90AE3

Descriere: TVS DIODE 90VWM 146VC DO215AB

Producători: Microsemi Corporation
In stoc
RFQ
MXLSMCGLCE75A

MXLSMCGLCE75A

Descriere: TVS DIODE 75VWM 121VC DO215AB

Producători: Microsemi Corporation
In stoc
RFQ
MXLSMCGLCE70A

MXLSMCGLCE70A

Descriere: TVS DIODE 70VWM 113VC DO215AB

Producători: Microsemi Corporation
In stoc
RFQ
MXLSMCGLCE80AE3

MXLSMCGLCE80AE3

Descriere: TVS DIODE 80VWM 129VC DO215AB

Producători: Microsemi Corporation
In stoc
RFQ
MXLSMCGLCE9.0AE3

MXLSMCGLCE9.0AE3

Descriere: TVS DIODE 9VWM 15.4VC DO215AB

Producători: Microsemi Corporation
In stoc
RFQ
MXLSMCJ100AE3

MXLSMCJ100AE3

Descriere: TVS DIODE 100V 162V DO214AB

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
MXLSMCGLCE8.5A

MXLSMCGLCE8.5A

Descriere: TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC DO215AB

Producători: Microsemi Corporation
In stoc
RFQ
MXLSMCJ100CAE3

MXLSMCJ100CAE3

Descriere: TVS DIODE 100V 162V DO214AB

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
MXLSMCGLCE9.0A

MXLSMCGLCE9.0A

Descriere: TVS DIODE 9VWM 15.4VC DO215AB

Producători: Microsemi Corporation
In stoc
RFQ
MXLSMCGLCE7.0AE3

MXLSMCGLCE7.0AE3

Descriere: TVS DIODE 7VWM 12VC DO215AB

Producători: Microsemi Corporation
In stoc
RFQ
MXLSMCGLCE75AE3

MXLSMCGLCE75AE3

Descriere: TVS DIODE 75VWM 121VC DO215AB

Producători: Microsemi Corporation
In stoc
RFQ
MXLSMCGLCE8.0AE3

MXLSMCGLCE8.0AE3

Descriere: TVS DIODE 8VWM 13.6VC DO215AB

Producători: Microsemi Corporation
In stoc
RFQ
MXLSMCGLCE7.5A

MXLSMCGLCE7.5A

Descriere: TVS DIODE 7.5VWM 12.9VC DO215AB

Producători: Microsemi Corporation
In stoc
RFQ
MXLSMCGLCE80A

MXLSMCGLCE80A

Descriere: TVS DIODE 80VWM 129VC DO215AB

Producători: Microsemi Corporation
In stoc
RFQ
MXLSMCGLCE70AE3

MXLSMCGLCE70AE3

Descriere: TVS DIODE 70VWM 113VC DO215AB

Producători: Microsemi Corporation
In stoc
RFQ
MXLSMCJ100CA

MXLSMCJ100CA

Descriere: TVS DIODE 100V 162V DO214AB

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
MXLSMCGLCE90A

MXLSMCGLCE90A

Descriere: TVS DIODE 90VWM 146VC DO215AB

Producători: Microsemi Corporation
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neȘtiriHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.