Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Protecția circuitului > TVS - Dioduri > JAN1N6122US
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
5698562

JAN1N6122US

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
100+
$17.447
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    JAN1N6122US
  • Producator / Marca
    Microsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    TVS DIODE 35.8V 67.83V B SQ-MELF
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Conține plumb / RoHS neconform
  • Foi de date
    JAN1N6122US.pdf
  • Tensiune - Standare inversă (tip)
    35.8V
  • Tensiune - Clamping (Max) @ Ipp
    67.83V
  • Tensiune - Defalcare (Min)
    32.47V
  • Tip
    Zener
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    B, SQ-MELF
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Protecția liniei electrice
    No
  • Power - vârf de vârf
    500W
  • ambalare
    Bulk
  • Pachet / Caz
    SQ-MELF, B
  • Alte nume
    1086-19482
    1086-19482-MIL
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Curent - vârf de vârf (10 / 1000μs)
    7.32A
  • Capacitate @ Frecventa
    -
  • Canalele bidirecționale
    1
  • Aplicații
    General Purpose

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „JAN1N6122US”.
JAN1N6124AUS

JAN1N6124AUS

Descriere: TVS DIODE 42.6V 77V B SQ-MELF

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N6125A

JAN1N6125A

Descriere: TVS DIODE 47.1VWM BPKG AXIAL

Producători: Microsemi Corporation
In stoc
RFQ
JAN1N6124

JAN1N6124

Descriere: TVS DIODE 42.6V 80.85V AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N6121

JAN1N6121

Descriere: TVS DIODE 32.7V 62.06V AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N6124A

JAN1N6124A

Descriere: TVS DIODE 42.6V 77V AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N6124US

JAN1N6124US

Descriere: TVS DIODE 42.6V 80.85V B SQ-MELF

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N6122AUS

JAN1N6122AUS

Descriere: TVS DIODE 35.8V 64.6V B SQ-MELF

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N6121A

JAN1N6121A

Descriere: TVS DIODE 32.7V 59.1V AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N6122

JAN1N6122

Descriere: TVS DIODE 35.8V 67.83V AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N6120US

JAN1N6120US

Descriere: TVS DIODE 29.7V 56.28V B SQ-MELF

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N6123AUS

JAN1N6123AUS

Descriere: TVS DIODE 38.8V 70.1V B SQ-MELF

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N6123A

JAN1N6123A

Descriere: TVS DIODE 38.8V 70.1V AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N6121US

JAN1N6121US

Descriere: TVS DIODE 32.7V 62.06V B SQ-MELF

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N6123US

JAN1N6123US

Descriere: TVS DIODE 38.8V 73.61V B SQ-MELF

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N6125

JAN1N6125

Descriere: TVS DIODE 47.1V 89.57V AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N6120A

JAN1N6120A

Descriere: TVS DIODE 29.7V 53.6V AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N6121AUS

JAN1N6121AUS

Descriere: TVS DIODE 32.7V 59.1V B SQ-MELF

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N6120AUS

JAN1N6120AUS

Descriere: TVS DIODE 29.7V 53.6V B SQ-MELF

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N6123

JAN1N6123

Descriere: TVS DIODE 38.8V 73.61V AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N6122A

JAN1N6122A

Descriere: TVS DIODE 35.8V 64.6V AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.