Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Diode - Redresoare - Single > JAN1N5623
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
5483933

JAN1N5623

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
102+
$10.053
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    JAN1N5623
  • Producator / Marca
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Conține plumb / RoHS neconform
  • Foi de date
  • Tensiune - înainte (Vf) (Max) @ Dacă
    1.6V @ 3A
  • Tensiune - DC înapoi (Vr) (Max)
    1000V
  • Viteză
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/429
  • Timp de recuperare invers (trr)
    500ns
  • ambalare
    Bulk
  • Pachet / Caz
    A, Axial
  • Alte nume
    1086-2116
    1086-2116-MIL
  • Temperatura de funcționare - Junction
    -65°C ~ 175°C
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    8 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipul de diodă
    Standard
  • descriere detaliata
    Diode Standard 1000V 1A Through Hole
  • Curenți - Scurgeri inverse @ Vr
    500nA @ 1000V
  • Curent - Mediu rectificat (Io)
    1A
  • Capacitate @ Vr, F
    -
JAN1N5635A

JAN1N5635A

Descriere: TVS DIODE 10.2V 16.7V DO13

Producători: Microsemi
In stoc
JAN1N5622

JAN1N5622

Descriere: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
JAN1N5621US

JAN1N5621US

Descriere: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Producători: Microsemi
In stoc
JAN1N5642A

JAN1N5642A

Descriere: TVS DIODE 20.5V 33.2V DO13

Producători: Microsemi
In stoc
JAN1N5621

JAN1N5621

Descriere: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Producători: Microsemi Corporation
In stoc
JAN1N5639A

JAN1N5639A

Descriere: TVS DIODE 15.3V 25.2V DO13

Producători: Microsemi
In stoc
JAN1N5620US

JAN1N5620US

Descriere: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Producători: Microsemi
In stoc
JAN1N5620

JAN1N5620

Descriere: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Producători: Microsemi Corporation
In stoc
JAN1N5623US

JAN1N5623US

Descriere: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Producători: Microsemi
In stoc
JAN1N5637A

JAN1N5637A

Descriere: TVS DIODE 12.8V 21.2V DO13

Producători: Microsemi
In stoc
JAN1N5644A

JAN1N5644A

Descriere: TVS DIODE 25.6V 41.4V DO13

Producători: Microsemi
In stoc
JAN1N5629A

JAN1N5629A

Descriere: TVS DIODE 5.8V 10.5V DO13

Producători: Microsemi
In stoc
JAN1N5618

JAN1N5618

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Producători: Microsemi Corporation
In stoc
JAN1N5619US

JAN1N5619US

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Producători: Microsemi
In stoc
JAN1N5622US

JAN1N5622US

Descriere: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Producători: Microsemi
In stoc
JAN1N5619

JAN1N5619

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
JAN1N5645A

JAN1N5645A

Descriere: TVS DIODE 28.2V 45.7V DO202AA

Producători: Microsemi
In stoc
JAN1N5632A

JAN1N5632A

Descriere: TVS DIODE 7.78V 13.4V DO13

Producători: Microsemi
In stoc
JAN1N5618US

JAN1N5618US

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Producători: Microsemi
In stoc
JAN1N5640A

JAN1N5640A

Descriere: TVS DIODE 17.1V 27.7V DO13

Producători: Microsemi
In stoc

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși