Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Diode - Redresoare - Single > JAN1N5417US
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
541267

JAN1N5417US

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
100+
$13.24
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    JAN1N5417US
  • Producator / Marca
    Microsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Conține plumb / RoHS neconform
  • Foi de date
    JAN1N5417US.pdf
  • Tensiune - înainte (Vf) (Max) @ Dacă
    1.5V @ 9A
  • Tensiune - DC înapoi (Vr) (Max)
    200V
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    B, SQ-MELF
  • Viteză
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/411
  • Timp de recuperare invers (trr)
    150ns
  • ambalare
    Bulk
  • Pachet / Caz
    SQ-MELF, B
  • Alte nume
    1086-2089
    1086-2089-MIL
  • Temperatura de funcționare - Junction
    -65°C ~ 175°C
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    8 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipul de diodă
    Standard
  • descriere detaliata
    Diode Standard 200V 3A Surface Mount B, SQ-MELF
  • Curenți - Scurgeri inverse @ Vr
    1µA @ 200V
  • Curent - Mediu rectificat (Io)
    3A
  • Capacitate @ Vr, F
    -

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „JAN1N5417US”.
JAN1N5314-1

JAN1N5314-1

Descriere: DIODE CURRENT REG 100V

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5312UR-1

JAN1N5312UR-1

Descriere: DIODE CURRENT REG 100V

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5416US

JAN1N5416US

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5417

JAN1N5417

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5313UR-1

JAN1N5313UR-1

Descriere: DIODE CURRENT REG 100V

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5420US

JAN1N5420US

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 3A D5B

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5415

JAN1N5415

Descriere: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5518B-1

JAN1N5518B-1

Descriere: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5418

JAN1N5418

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5313-1

JAN1N5313-1

Descriere: DIODE CURRENT REG 100V

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5518CUR-1

JAN1N5518CUR-1

Descriere: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5416

JAN1N5416

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5415US

JAN1N5415US

Descriere: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5418US

JAN1N5418US

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 3A D5B

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5420

JAN1N5420

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5314UR-1

JAN1N5314UR-1

Descriere: DIODE CURRENT REG 100V

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5419

JAN1N5419

Descriere: DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5419US

JAN1N5419US

Descriere: DIODE GEN PURP 500V 3A D5B

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N5518BUR-1

JAN1N5518BUR-1

Descriere: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA

Producători: Microsemi Corporation
In stoc
RFQ
JAN1N5518C-1

JAN1N5518C-1

Descriere: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.