Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Diode - Redresoare - Single > JAN1N3646
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
6688364

JAN1N3646

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
100+
$18.127
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    JAN1N3646
  • Producator / Marca
    Microsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    DIODE GP 1.75KV 250MA AXIAL
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Conține plumb / RoHS neconform
  • Foi de date
    JAN1N3646.pdf
  • Tensiune - înainte (Vf) (Max) @ Dacă
    5V @ 250mA
  • Tensiune - DC înapoi (Vr) (Max)
    1750V
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    S, Axial
  • Viteză
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/279
  • ambalare
    Bulk
  • Pachet / Caz
    S, Axial
  • Alte nume
    1086-2001
    1086-2001-MIL
  • Temperatura de funcționare - Junction
    -65°C ~ 175°C
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    8 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipul de diodă
    Standard
  • descriere detaliata
    Diode Standard 1750V 250mA Through Hole S, Axial
  • Curenți - Scurgeri inverse @ Vr
    5µA @ 1750V
  • Curent - Mediu rectificat (Io)
    250mA
  • Capacitate @ Vr, F
    -

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „JAN1N3646”.
JAN1N3613

JAN1N3613

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N3671AR

JAN1N3671AR

Descriere: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N3768R

JAN1N3768R

Descriere: DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N3671A

JAN1N3671A

Descriere: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N3766

JAN1N3766

Descriere: DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N3595UR-1

JAN1N3595UR-1

Descriere: DIODE GP 125V 150MA DO213AA

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N3595AUR-1

JAN1N3595AUR-1

Descriere: DIODE GP 125V 150MA DO213AA

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N3673AR

JAN1N3673AR

Descriere: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N3766R

JAN1N3766R

Descriere: DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N3673A

JAN1N3673A

Descriere: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N3611

JAN1N3611

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Producători: Microsemi Corporation
In stoc
RFQ
JAN1N3647

JAN1N3647

Descriere: DIODE GEN PURP 3KV 250MA AXIAL

Producători: Microsemi Corporation
In stoc
RFQ
JAN1N3768

JAN1N3768

Descriere: DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB

Producători: Microsemi Corporation
In stoc
RFQ
JAN1N3612

JAN1N3612

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Producători: Microsemi Corporation
In stoc
RFQ
JAN1N3645

JAN1N3645

Descriere: DIODE GEN PURP 1.4KV 250MA AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N3595AUS

JAN1N3595AUS

Descriere: DIODE GEN PURP 125V 150MA

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N3600

JAN1N3600

Descriere: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO7

Producători: Microsemi Corporation
In stoc
RFQ
JAN1N3671R

JAN1N3671R

Descriere: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
JAN1N3644

JAN1N3644

Descriere: DIODE GEN PURP 1.5KV 250MA AXIAL

Producători: Microsemi Corporation
In stoc
RFQ
JAN1N3614

JAN1N3614

Descriere: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.