Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > APTM120U10SAG
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
2582637APTM120U10SAG ImagineMicrosemi

APTM120U10SAG

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
100+
$189.406
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    APTM120U10SAG
  • Producator / Marca
    Microsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    1.APTM120U10SAG.pdf
    2.APTM120U10SAG.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    5V @ 20mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    SP6
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    120 mOhm @ 58A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    3290W (Tc)
  • ambalare
    Bulk
  • Pachet / Caz
    SP6
  • Alte nume
    APTM120U10SAGMI
    APTM120U10SAGMI-ND
  • Temperatura de Operare
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Chassis Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    32 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    28900pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    1100nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    1200V
  • descriere detaliata
    N-Channel 1200V 116A (Tc) 3290W (Tc) Chassis Mount SP6
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    116A (Tc)

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „APTM120U10SAG”.
APTM120VDA57T3G

APTM120VDA57T3G

Descriere: MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM120SK15G

APTM120SK15G

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 60A SP6

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM20AM05FG

APTM20AM05FG

Descriere: MOSFET 2N-CH 200V 317A SP6

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM120UM70DAG

APTM120UM70DAG

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 171A SP6

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM120TA57FPG

APTM120TA57FPG

Descriere: MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM120UM95FAG

APTM120UM95FAG

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 103A SP6

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM120TDU57PG

APTM120TDU57PG

Descriere: MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM120H57FTG

APTM120H57FTG

Descriere: MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP4

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM20AM04FG

APTM20AM04FG

Descriere: MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM120H57FT3G

APTM120H57FT3G

Descriere: MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM20AM06SG

APTM20AM06SG

Descriere: MOSFET 2N-CH 200V 300A SP6

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM120SK56T1G

APTM120SK56T1G

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 18A SP1

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM120UM70FAG

APTM120UM70FAG

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 171A SP6

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM120SK29TG

APTM120SK29TG

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 34A SP4

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM120U10DAG

APTM120U10DAG

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 116A SP6

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM120H29FG

APTM120H29FG

Descriere: MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM20AM08FTG

APTM20AM08FTG

Descriere: MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM120SK68T1G

APTM120SK68T1G

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 15A SP1

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM20AM05FTG

APTM20AM05FTG

Descriere: MOSFET 2N-CH 200V 333A SP4

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APTM120U10SCAVG

APTM120U10SCAVG

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 116A SP6

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.