Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > APT37F50B
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
2694120APT37F50B ImagineMicrosemi

APT37F50B

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$9.47
30+
$7.767
120+
$7.009
510+
$5.873
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    APT37F50B
  • Producator / Marca
    Microsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 500V 37A TO-247
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    1.APT37F50B.pdf
    2.APT37F50B.pdf
  • Modelul ECAD
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-247 [B]
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    150 mOhm @ 18A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    520W (Tc)
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    TO-247-3
  • Alte nume
    APT37F50BMI
    APT37F50BMI-ND
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    20 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    5710pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    145nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    500V
  • descriere detaliata
    N-Channel 500V 37A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    37A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „APT37F50B”.
APT39F60J

APT39F60J

Descriere: MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT35GP120J

APT35GP120J

Descriere: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT35SM70S

APT35SM70S

Descriere: MOSFET N-CH 700V D3PAK

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT35GT120JU2

APT35GT120JU2

Descriere: IGBT 1200V 35A 260W SOT-227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT38F80B2

APT38F80B2

Descriere: MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT37F50S

APT37F50S

Descriere: MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT36GA60BD15

APT36GA60BD15

Descriere: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT38F80L

APT38F80L

Descriere: MOSFET N-CH 800V 41A TO-264

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT35SM70B

APT35SM70B

Descriere: MOSFET N-CH 700V TO247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT37M100B2

APT37M100B2

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT38F50J

APT38F50J

Descriere: MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT38N60SC6

APT38N60SC6

Descriere: MOSFET N-CH 600V 38A D3PAK

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT37M100L

APT37M100L

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT35GT120JU3

APT35GT120JU3

Descriere: IGBT 1200V 55A 260W SOT227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT36GA60B

APT36GA60B

Descriere: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT38M50J

APT38M50J

Descriere: MOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT35GP120JDQ2

APT35GP120JDQ2

Descriere: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT36N90BC3G

APT36N90BC3G

Descriere: MOSFET N-CH 900V 36A TO-247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT38N60BC6

APT38N60BC6

Descriere: MOSFET N-CH 600V 38A TO-247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT35GP120BG

APT35GP120BG

Descriere: IGBT 1200V 96A 543W TO247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neȘtiriHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.