Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > APT34F100B2
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
5848574APT34F100B2 ImagineMicrosemi

APT34F100B2

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
30+
$22.174
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    APT34F100B2
  • Producator / Marca
    Microsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    1.APT34F100B2.pdf
    2.APT34F100B2.pdf
  • Modelul ECAD
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    T-MAX™ [B2]
  • Serie
    POWER MOS 8™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    380 mOhm @ 18A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    1135W (Tc)
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    TO-247-3 Variant
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    21 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    9835pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    305nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    1000V
  • descriere detaliata
    N-Channel 1000V 35A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    35A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „APT34F100B2”.
APT34N80LC3G

APT34N80LC3G

Descriere: MOSFET N-CH 800V 34A TO-264

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT33GF120BRG

APT33GF120BRG

Descriere: IGBT 1200V 52A 297W TO247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT34N80B2C3G

APT34N80B2C3G

Descriere: MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT33N90JCU3

APT33N90JCU3

Descriere: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT33GF120B2RDQ2G

APT33GF120B2RDQ2G

Descriere: IGBT 1200V 64A 357W TMAX

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT32F120J

APT32F120J

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 33A SOT-227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT32M80J

APT32M80J

Descriere: MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT35GA90B

APT35GA90B

Descriere: IGBT 900V 63A 290W TO-247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT34M60B

APT34M60B

Descriere: MOSFET N-CH 600V 36A TO-247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT33N90JCCU3

APT33N90JCCU3

Descriere: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT33N90JCCU2

APT33N90JCCU2

Descriere: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT35GA90BD15

APT35GA90BD15

Descriere: IGBT 900V 63A 290W TO247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT35DL120HJ

APT35DL120HJ

Descriere: DIODE MODULE 1.2KV SOT227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT34F100L

APT34F100L

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 35A TO264

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT34M120J

APT34M120J

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT3216ZGCK

APT3216ZGCK

Descriere: LED GREEN CLEAR CHIP SMD

Producători: Kingbright
In stoc
RFQ
APT34F60BG

APT34F60BG

Descriere: MOSFET N-CH 600V 34A TO-247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT34F60B

APT34F60B

Descriere: MOSFET N-CH 600V 34A TO-247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT33N90JCU2

APT33N90JCU2

Descriere: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT33GF120LRDQ2G

APT33GF120LRDQ2G

Descriere: IGBT 1200V 64A 357W TO264

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neȘtiriHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.