Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > APT30N60BC6
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
1114252APT30N60BC6 ImagineMicrosemi

APT30N60BC6

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$7.51
30+
$6.156
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    APT30N60BC6
  • Producator / Marca
    Microsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    APT30N60BC6.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    3.5V @ 960µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-247 [B]
  • Serie
    CoolMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    125 mOhm @ 14.5A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    219W (Tc)
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    TO-247-3
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    2267pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    88nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    600V
  • descriere detaliata
    N-Channel 600V 30A (Tc) 219W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „APT30N60BC6”.
APT30M40B2VFRG

APT30M40B2VFRG

Descriere: MOSFET N-CH 300V 76A T-MAX

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT30S20SG

APT30S20SG

Descriere: DIODE SCHOTTKY 200V 45A D3

Producători: Microsemi Corporation
In stoc
RFQ
APT30M70SVRG

APT30M70SVRG

Descriere: MOSFET N-CH 300V 48A D3PAK

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT30N60KC6

APT30N60KC6

Descriere: MOSFET N-CH 600V 30A TO-220

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT30M40JVFR

APT30M40JVFR

Descriere: MOSFET N-CH 300V 70A SOT-227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT30M85SVFRG

APT30M85SVFRG

Descriere: MOSFET N-CH 300V 40A D3PAK

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT30M85BVRG

APT30M85BVRG

Descriere: MOSFET N-CH 300V 40A TO-247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT30M40JVR

APT30M40JVR

Descriere: MOSFET N-CH 300V 70A SOT-227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT30S20BCTG

APT30S20BCTG

Descriere: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT31M100L

APT31M100L

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 32A TO264

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT30M85BVFRG

APT30M85BVFRG

Descriere: MOSFET N-CH 300V 40A TO-247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT30SCD65B

APT30SCD65B

Descriere: DIODE SIC 650V 46A TO247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT30S20BG

APT30S20BG

Descriere: DIODE SCHOTTKY 200V 45A TO247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT30N60SC6

APT30N60SC6

Descriere: MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT31M100B2

APT31M100B2

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT30M70BVRG

APT30M70BVRG

Descriere: MOSFET N-CH 300V 48A TO-247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT30M60J

APT30M60J

Descriere: MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT30SCD120B

APT30SCD120B

Descriere: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 99A

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT30SCD120S

APT30SCD120S

Descriere: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 99A D3PAK

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT30M70BVFRG

APT30M70BVFRG

Descriere: MOSFET N-CH 300V 48A TO-247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.