Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > APT30M19JVR
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
497823APT30M19JVR ImagineMicrosemi

APT30M19JVR

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
10+
$57.528
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    APT30M19JVR
  • Producator / Marca
    Microsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    1.APT30M19JVR.pdf
    2.APT30M19JVR.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4V @ 5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    ISOTOP®
  • Serie
    POWER MOS V®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    19 mOhm @ 500mA, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    700W (Tc)
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Chassis Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    19 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    21600pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    975nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    300V
  • descriere detaliata
    N-Channel 300V 130A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    130A (Tc)

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „APT30M19JVR”.
APT30M40JVR

APT30M40JVR

Descriere: MOSFET N-CH 300V 70A SOT-227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT30M70BVFRG

APT30M70BVFRG

Descriere: MOSFET N-CH 300V 48A TO-247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT30GS60KRG

APT30GS60KRG

Descriere: IGBT 600V 54A 250W TO220

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT30GT60BRDQ2G

APT30GT60BRDQ2G

Descriere: IGBT 600V 64A 250W TO247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT30M60J

APT30M60J

Descriere: MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT30GT60KRG

APT30GT60KRG

Descriere: IGBT 600V 64A 250W TO220

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT30GP60JDQ1

APT30GP60JDQ1

Descriere: IGBT 600V 67A 245W SOT227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT30GP60BG

APT30GP60BG

Descriere: IGBT 600V 100A 463W TO247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT30M85BVRG

APT30M85BVRG

Descriere: MOSFET N-CH 300V 40A TO-247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT30GP60LDLG

APT30GP60LDLG

Descriere: IGBT 600V 100A 463W TO264

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT30GS60BRDLG

APT30GS60BRDLG

Descriere: IGBT 600V 54A 250W TO247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT30M85BVFRG

APT30M85BVFRG

Descriere: MOSFET N-CH 300V 40A TO-247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT30M40B2VFRG

APT30M40B2VFRG

Descriere: MOSFET N-CH 300V 76A T-MAX

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT30GS60BRDQ2G

APT30GS60BRDQ2G

Descriere: IGBT 600V 54A 250W SOT227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT30M70SVRG

APT30M70SVRG

Descriere: MOSFET N-CH 300V 48A D3PAK

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT30M19JVFR

APT30M19JVFR

Descriere: MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT30GT60BRG

APT30GT60BRG

Descriere: IGBT 600V 64A 250W TO247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT30M85SVFRG

APT30M85SVFRG

Descriere: MOSFET N-CH 300V 40A D3PAK

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT30M40JVFR

APT30M40JVFR

Descriere: MOSFET N-CH 300V 70A SOT-227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT30M70BVRG

APT30M70BVRG

Descriere: MOSFET N-CH 300V 48A TO-247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.