Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > APT14M100B
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
5230248APT14M100B ImagineMicrosemi

APT14M100B

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
90+
$8.537
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    APT14M100B
  • Producator / Marca
    Microsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    1.APT14M100B.pdf
    2.APT14M100B.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-247 [B]
  • Serie
    POWER MOS 8™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    900 mOhm @ 7A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    500W (Tc)
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    TO-247-3
  • Alte nume
    APT14M100BMP
    APT14M100BMP-ND
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    17 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    3965pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    120nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    1000V
  • descriere detaliata
    N-Channel 1000V 14A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    14A (Tc)

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „APT14M100B”.
APT130SM70B

APT130SM70B

Descriere: MOSFET N-CH 700V TO247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT13F120S

APT13F120S

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT13GP120KG

APT13GP120KG

Descriere: IGBT 1200V 41A 250W TO220

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT13GP120BDQ1G

APT13GP120BDQ1G

Descriere: IGBT 1200V 41A 250W TO247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT150GT120JR

APT150GT120JR

Descriere: IGBT 1200V 170A 830W SOT227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT150GN60B2G

APT150GN60B2G

Descriere: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT14M100S

APT14M100S

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT13GP120BG

APT13GP120BG

Descriere: IGBT 1200V 41A 250W TO247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT15D100BCTG

APT15D100BCTG

Descriere: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT150GN60LDQ4G

APT150GN60LDQ4G

Descriere: IGBT 600V 220A 536W TO-264L

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT150GN60J

APT150GN60J

Descriere: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT150GN60JDQ4

APT150GN60JDQ4

Descriere: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT14F100S

APT14F100S

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT150GN120J

APT150GN120J

Descriere: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT14M120B

APT14M120B

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT14F100B

APT14F100B

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT150GN120JDQ4

APT150GN120JDQ4

Descriere: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT130SM70J

APT130SM70J

Descriere: MOSFET N-CH 700V SOT227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT14050JVFR

APT14050JVFR

Descriere: MOSFET N-CH 1400V 23A SOT-227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT13F120B

APT13F120B

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 14A TO247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.