Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - IGBT - Single > APT100GN60B2G
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
2083172APT100GN60B2G ImagineMicrosemi

APT100GN60B2G

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
60+
$9.441
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    APT100GN60B2G
  • Producator / Marca
    Microsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    IGBT 600V 229A 625W TMAX
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    1.APT100GN60B2G.pdf
    2.APT100GN60B2G.pdf
  • Modelul ECAD
  • Tensiune - emițător colector (Max)
    600V
  • Vce (pe) (Max) @ Vge, Ic
    1.85V @ 15V, 100A
  • Starea testului
    400V, 100A, 1 Ohm, 15V
  • Td (pornire / oprire) @ 25 ° C
    31ns/310ns
  • Comutarea energiei
    4.7mJ (on), 2.675mJ (off)
  • Serie
    -
  • Putere - Max
    625W
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    TO-247-3 Variant
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    18 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tip de introducere
    Standard
  • Tip IGBT
    Trench Field Stop
  • Chargeul porții
    600nC
  • descriere detaliata
    IGBT Trench Field Stop 600V 229A 625W Through Hole
  • Curent - colector pulsat (Icm)
    300A
  • Curent - Colector (Ic) (Max)
    229A

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „APT100GN60B2G”.
APT100GT120JU3

APT100GT120JU3

Descriere: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT100GT120JU2

APT100GT120JU2

Descriere: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT100GN60LDQ4G

APT100GN60LDQ4G

Descriere: IGBT 600V 229A 625W TO264

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT100DL60BG

APT100DL60BG

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 100A TO247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT100M50J

APT100M50J

Descriere: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

Descriere: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT100GN120B2G

APT100GN120B2G

Descriere: IGBT 1200V 245A 960W TMAX

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT100GF60JU3

APT100GF60JU3

Descriere: IGBT 600V 120A 416W SOT227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT100DL60HJ

APT100DL60HJ

Descriere: MOD DIODE 600V SOT-227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT100GLQ65JU2

APT100GLQ65JU2

Descriere: POWER MODULE - IGBT

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT100GF60JU2

APT100GF60JU2

Descriere: IGBT 600V 120A 416W SOT227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT100GN120JDQ4

APT100GN120JDQ4

Descriere: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT100GT120JR

APT100GT120JR

Descriere: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4

Descriere: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT100GT60B2RG

APT100GT60B2RG

Descriere: IGBT 600V 148A 500W SOT247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

Descriere: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT10090BLLG

APT10090BLLG

Descriere: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT100F50J

APT100F50J

Descriere: MOSFET N-CH 500V 103A SOT227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT100GN120J

APT100GN120J

Descriere: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
APT100GT60JR

APT100GT60JR

Descriere: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neȘtiriHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.