Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Diode - Redresoare - Single > 1N6625E3
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
9595141N6625E3 ImagineMicrosemi Corporation

1N6625E3

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$21.80
10+
$20.165
25+
$18.53
100+
$17.222
250+
$15.805
500+
$15.042
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    1N6625E3
  • Producator / Marca
    Microsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Voltaj - vârf înapoi (Max)
    Standard
  • Tensiune - înainte (Vf) (Max) @ Dacă
    1A
  • Tensiune - Defalcare
    A, Axial
  • Serie
    -
  • Starea RoHS
    Bulk
  • Timp de recuperare invers (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Rezistență @ Dacă, F
    -
  • Polarizare
    A, Axial
  • Temperatura de funcționare - Junction
    80ns
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Codul producătorului
    1N6625E3
  • Descriere extinsă
    Diode Standard 1100V (1.1kV) 1A Through Hole A, Axial
  • Configurarea diodelor
    1µA @ 1000V
  • Descriere
    DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL
  • Curenți - Scurgeri inverse @ Vr
    1.95V @ 1.5A
  • Curent - medie rectificată (Io) (per diodă)
    1100V (1.1kV)
  • Capacitate @ Vr, F
    -65°C ~ 150°C

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „1N6625E3”.
1N6629

1N6629

Descriere: DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
1N6625US

1N6625US

Descriere: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A A-MELF

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
1N6625

1N6625

Descriere: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
1N6630

1N6630

Descriere: DIODE GEN PURP 990V 1.4A AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
1N6627

1N6627

Descriere: DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
1N6628

1N6628

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 1.75A AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
1N6626

1N6626

Descriere: DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
1N6628US

1N6628US

Descriere: DIODE GEN PURP 660V 1.75A A-MELF

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
1N6620US

1N6620US

Descriere: DIODE GEN PURP 220V 1.2A A-MELF

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
1N6622

1N6622

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
1N6627US

1N6627US

Descriere: DIODE GEN PURP 440V 1.75A A-MELF

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
1N6629US

1N6629US

Descriere: DIODE GEN PURP 880V 1.4A A-MELF

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
1N6623

1N6623

Descriere: DIODE GEN PURP 880V 1A AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
1N6622US

1N6622US

Descriere: DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
1N6624US

1N6624US

Descriere: DIODE GEN PURP 990V 1A A-MELF

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
1N6621US

1N6621US

Descriere: DIODE GEN PURP 440V 1.2A A-MELF

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
1N6624

1N6624

Descriere: DIODE GEN PURP 990V 1A A-PAK

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
1N6623US

1N6623US

Descriere: DIODE GEN PURP 880V 1A A-MELF

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
1N6626US

1N6626US

Descriere: DIODE GEN PURP 220V 1.75A A-MELF

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
1N6621

1N6621

Descriere: DIODE GEN PURP 440V 1.2A AXIAL

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.